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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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P4NK60ZFP-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): P4NK60ZFP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### P4NK60ZFP-VB 產(chǎn)品簡介

P4NK60ZFP-VB 是一款高壓 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏極源極電壓(VDS)高達(dá) 650V,適合于高電壓電源和開關(guān)應(yīng)用。這款 MOSFET 的最大漏極電流(ID)為 4A,能夠滿足中等功率需求。具有較高的閾值電壓(Vth)為 3.5V,能夠在相對(duì)較低的柵源電壓下實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。雖然導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 2560mΩ(在 VGS=10V 時(shí)),但其在高電壓場合仍然提供了可靠的性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: P4NK60ZFP-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單 N 通道
- **最大漏極源極電壓 (VDS)**: 650V
- **最大柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換**: P4NK60ZFP-VB 非常適合用于高壓開關(guān)電源(SMPS),其650V的耐壓能力能夠有效處理高壓輸入,提供穩(wěn)定的輸出,確保電源的高效轉(zhuǎn)換。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以作為驅(qū)動(dòng)開關(guān),特別適用于高壓直流電機(jī),能夠提供精確的控制和高效的開關(guān)性能。

3. **逆變器應(yīng)用**: 在光伏逆變器和不間斷電源(UPS)中,P4NK60ZFP-VB 可以用作主要的功率開關(guān),處理高電壓和中等電流,提高整體系統(tǒng)的效率和可靠性。

4. **照明驅(qū)動(dòng)**: 適用于高壓 LED 照明系統(tǒng),該 MOSFET 能夠有效調(diào)節(jié) LED 的工作狀態(tài),提升照明效率并降低功耗。

5. **消費(fèi)電子電源管理**: 廣泛應(yīng)用于家用電器和其他高壓消費(fèi)電子產(chǎn)品中,確保在高電壓條件下安全、穩(wěn)定地運(yùn)行。

P4NK60ZFP-VB 的高壓特性和穩(wěn)定性能使其成為多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域的理想選擇,能夠滿足對(duì)效率和可靠性的需求。

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