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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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P5NC50FP-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): P5NC50FP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### P5NB90FP-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

P5NB90FP-VB是一款高電壓?jiǎn)蜰通道MOSFET,封裝為T(mén)O220F。該器件具有極高的漏源電壓(VDS高達(dá)950V),使其非常適合用于高壓應(yīng)用場(chǎng)景。P5NB90FP-VB的設(shè)計(jì)確保在較大的電流下仍然保持良好的性能,ID可達(dá)到6A。其采用Plannar技術(shù),提供了穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)特性和相對(duì)較高的導(dǎo)通電阻,適合在高電壓環(huán)境下使用,能夠滿(mǎn)足多種電源管理和開(kāi)關(guān)控制的需求。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 950V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2400mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 6A
- **技術(shù)類(lèi)型**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **高壓開(kāi)關(guān)電源**: P5NB90FP-VB非常適合用于高壓開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì),其高VDS能力可以滿(mǎn)足嚴(yán)苛的電壓要求,從而提升電源的效率和穩(wěn)定性。

2. **工業(yè)設(shè)備**: 在需要高電壓和大功率的工業(yè)設(shè)備中,該MOSFET可用于驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載,確??煽康牟僮骱烷L(zhǎng)久的使用壽命。

3. **電力電子**: P5NB90FP-VB可用于電力電子系統(tǒng),如變頻器和逆變器,幫助實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和控制。

4. **照明系統(tǒng)**: 在高壓照明系統(tǒng)中,該器件能夠有效控制電流,適合用于大功率LED照明和熒光燈驅(qū)動(dòng)。

5. **醫(yī)療設(shè)備**: 該MOSFET在一些醫(yī)療設(shè)備中也能發(fā)揮作用,尤其是在需要高電壓電源的場(chǎng)合,例如X光機(jī)和其他成像設(shè)備。

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