--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### P8NC60FP-VB 產(chǎn)品簡介
P8NC60FP-VB 是一款高壓單極 N 通道 MOSFET,封裝形式為 TO220F,具有650V 的漏極-源極電壓 (VDS) 和10A 的最大漏極電流 (ID)。該器件采用 Plannar 技術(shù),具備較低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),提供出色的開關(guān)性能和熱管理。P8NC60FP-VB 設(shè)計用于高壓電源和控制電路,能夠在嚴苛的環(huán)境中保持穩(wěn)定的性能,是電力電子應(yīng)用中的理想選擇。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**:P8NC60FP-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單極 N 通道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:830mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:10A
- **技術(shù)**:Plannar
### 適用領(lǐng)域和模塊
1. **開關(guān)電源**:P8NC60FP-VB 被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠有效處理高電壓和電流,確保電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效性,適合各類電源模塊的設(shè)計。
2. **逆變器**:在太陽能逆變器和其他可再生能源應(yīng)用中,該 MOSFET 能夠高效控制電流和電壓,優(yōu)化能量轉(zhuǎn)換過程,提供可靠的性能。
3. **高壓照明**:P8NC60FP-VB 可用于高壓照明控制模塊,作為開關(guān)元件實現(xiàn)亮度調(diào)節(jié)和電源控制,適用于工業(yè)和商業(yè)照明應(yīng)用。
4. **電機驅(qū)動**:在高壓電機控制應(yīng)用中,該器件確保平穩(wěn)的電流管理,適合電動工具和工業(yè)電機驅(qū)動,提供高效的開關(guān)性能。
5. **消費電子**:該 MOSFET 也適用于高壓供電的消費電子產(chǎn)品,如電視和音響設(shè)備,能夠提供穩(wěn)定的電流管理,提升系統(tǒng)的可靠性和用戶體驗。
憑借其卓越的性能,P8NC60FP-VB 是高壓電力應(yīng)用中的理想選擇,幫助設(shè)計師實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12