--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### PF7N60HA-VB 產(chǎn)品簡介
PF7N60HA-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應(yīng)用而設(shè)計。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 可達(dá)到 650V,能夠承受較高的電壓條件,非常適合在電源管理和開關(guān)電路中使用。最大漏極電流 (ID) 為 7A,并在 10V 的柵源電壓下具有 1100mΩ 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),確保高效的開關(guān)性能。PF7N60HA-VB 采用 Plannar 技術(shù),具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,適用于各種工業(yè)應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: PF7N60HA-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: Single-N-Channel
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 1100mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)**: Plannar
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
PF7N60HA-VB 在多個領(lǐng)域中具有廣泛應(yīng)用,主要包括:
1. **電源轉(zhuǎn)換**:
- 作為開關(guān)元件在開關(guān)電源 (SMPS) 中使用,可有效管理高電壓和高功率的電能轉(zhuǎn)換,廣泛應(yīng)用于電源適配器、充電器等設(shè)備。
2. **電機驅(qū)動**:
- 在電機控制系統(tǒng)中,PF7N60HA-VB 可用作開關(guān)元件,精確控制高電壓電機的運行,適合工業(yè)自動化設(shè)備和電動工具的驅(qū)動。
3. **逆變器**:
- 在太陽能和風(fēng)能逆變器中,該 MOSFET 用于高效地轉(zhuǎn)換和管理電能,提高可再生能源的利用率。
4. **LED照明**:
- 作為開關(guān)元件在高壓 LED 照明系統(tǒng)中使用,確保穩(wěn)定的電流輸出,提高整體照明效率與性能。
5. **家電產(chǎn)品**:
- 在高壓家電設(shè)備(如空調(diào)、冰箱等)中,PF7N60HA-VB 可作為關(guān)鍵開關(guān)元件,保障設(shè)備的安全與高效運行。
通過其設(shè)計和性能,PF7N60HA-VB 適用于需要高電壓和負(fù)載的應(yīng)用場合,確保系統(tǒng)的可靠性和效率。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12