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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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PHX2N40E-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): PHX2N40E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### PHX2N40E-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

PHX2N40E-VB 是一款高壓?jiǎn)?N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為需要高電壓和較低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件具有650V 的漏極-源極電壓(VDS)和±30V 的柵極-源極電壓(VGS),使其適用于各種高電壓電源管理和開關(guān)應(yīng)用。憑借其平面技術(shù)的設(shè)計(jì),PHX2N40E-VB 提供了可靠的性能和良好的熱管理。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:PHX2N40E-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)?N 通道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:平面(Plannar)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

PHX2N40E-VB 可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換**:該 MOSFET 非常適合用于開關(guān)電源、升壓轉(zhuǎn)換器和逆變器等高壓電源管理系統(tǒng),能夠提供穩(wěn)定和高效的電能轉(zhuǎn)換。

2. **照明控制**:在LED照明和其他高壓照明系統(tǒng)中,PHX2N40E-VB 可以用作開關(guān)器件,以控制電流并實(shí)現(xiàn)調(diào)光功能,提升能效。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:適用于電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用,特別是在高電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)和起動(dòng)電路中,PHX2N40E-VB 可確保平穩(wěn)的電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行。

4. **工業(yè)設(shè)備**:在工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中,該器件可以用作驅(qū)動(dòng)負(fù)載和實(shí)現(xiàn)電源開關(guān),確保高效的能量管理和設(shè)備控制。

5. **家用電器**:PHX2N40E-VB 可以用于家用電器,如洗衣機(jī)、空調(diào)和冰箱等,在控制和開關(guān)電路中提供可靠的性能。

憑借其高壓能力和優(yōu)異的開關(guān)性能,PHX2N40E-VB 是許多高壓應(yīng)用的理想選擇。

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