91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

PHX4N50E-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: PHX4N50E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

PHX4N50E-VB是一款高壓單N通道MOSFET,采用TO220F封裝,專為650V高電壓應用設計。該MOSFET具有出色的開關性能和電流處理能力,最大漏極電流(ID)可達7A,適用于各種高壓電源和驅動電路。其導通電阻(RDS(ON))為1100mΩ@VGS=10V,能夠在保證性能的同時有效降低功耗。PHX4N50E-VB的閾值電壓(Vth)為3.5V,使其能夠與多種控制電路兼容,適合用于高效的電源管理解決方案。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**:PHX4N50E-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單N通道
- **漏極-源極耐壓(VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:7A
- **技術**:Plannar技術

### 應用領域和模塊示例

1. **開關電源**:
  PHX4N50E-VB非常適合用于高壓開關電源(SMPS),可在各種電源轉換應用中實現(xiàn)高效率和穩(wěn)定性,尤其在工業(yè)電源和消費電子產品中應用廣泛。

2. **電機驅動**:
  該MOSFET在電機控制系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠有效驅動高壓直流電機,適用于電動工具、電動車輛及其他高功率電機驅動應用。

3. **照明控制**:
  PHX4N50E-VB適用于高壓LED照明電路,為LED燈提供穩(wěn)定的電流和電壓,確保高效能和延長燈具使用壽命,廣泛應用于商業(yè)照明和家居照明解決方案。

4. **電壓調節(jié)和穩(wěn)壓器**:
  該MOSFET可用于線性穩(wěn)壓器和開關穩(wěn)壓器設計中,幫助在高壓輸入下提供穩(wěn)定輸出,適合于多種電源管理和轉換應用。

這些應用展示了PHX4N50E-VB在高壓和高效能電源系統(tǒng)中的多種適用性,強調了其在電源管理和驅動電路方面的優(yōu)勢。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    505瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    426瀏覽量