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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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PHX4ND40E-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): PHX4ND40E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### PHX4ND40E-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

PHX4ND40E-VB 是一款高壓 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì),額定漏極-源極電壓 (VDS) 可達(dá) 650V。這款 MOSFET 適合在高電壓和中等電流環(huán)境下運(yùn)行,能夠提供可靠的開關(guān)性能和高效的導(dǎo)通能力。其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 2560mΩ(在 VGS=10V 時(shí)),使其在電力轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: PHX4ND40E-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單 N 通道
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **Vth**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 2560mΩ (在 VGS=10V 時(shí))
- **ID**: 4A
- **技術(shù)**: 平面技術(shù) (Plannar)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

PHX4ND40E-VB 可廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,具體包括:

1. **開關(guān)電源**:
  - 在開關(guān)電源 (SMPS) 中,該 MOSFET 可作為開關(guān)元件,負(fù)責(zé)高效的電壓轉(zhuǎn)換和電流管理,確保電源系統(tǒng)的高效和穩(wěn)定。

2. **電動(dòng)汽車**:
  - 該器件在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)中,能夠有效控制充放電過程,保障電池的安全性和效率。

3. **逆變器**:
  - PHX4ND40E-VB 在光伏和風(fēng)能逆變器中可作為功率開關(guān),支持高壓輸出,有助于可再生能源的有效轉(zhuǎn)換與利用。

4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  - 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中,作為控制電流流動(dòng)的開關(guān)元件,提高電機(jī)的工作效率,廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化及家用電器。

5. **高壓控制電路**:
  - 用于高壓測(cè)量和控制系統(tǒng),PHX4ND40E-VB 能夠提供穩(wěn)定可靠的開關(guān)性能,確保高電壓應(yīng)用的安全運(yùn)行。

通過這些應(yīng)用實(shí)例,PHX4ND40E-VB 在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中起著重要的作用,能夠滿足高壓和高效能的需求。

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