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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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PHX5N50E-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: PHX5N50E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### PHX5N50E-VB 產(chǎn)品簡介

PHX5N50E-VB 是一款高壓 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為需要高電壓和中等電流的應(yīng)用設(shè)計。其額定漏極到源極電壓(VDS)高達(dá) 650V,適合用于各種電源轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻為 680mΩ(在 VGS=10V 時),使其在運行時保持較低的導(dǎo)通損耗,從而提高了整體系統(tǒng)效率。閾值電壓(Vth)為 3.5V,確保了在較低柵壓下的可靠開關(guān)性能。PHX5N50E-VB 采用平面技術(shù)(Plannar),增強了其熱性能和可靠性,廣泛應(yīng)用于工業(yè)和消費電子領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: PHX5N50E-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單 N 通道
- **漏極到源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極到源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 12A
- **技術(shù)**: 平面技術(shù)(Plannar)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **開關(guān)電源(SMPS)**: PHX5N50E-VB 常用于開關(guān)電源設(shè)計中,能夠在高壓環(huán)境下提供穩(wěn)定的能量轉(zhuǎn)換。其低導(dǎo)通電阻和高 VDS 使得該 MOSFET 能夠有效減少能量損耗,提高轉(zhuǎn)換效率。

2. **電機驅(qū)動器**: 在電機控制應(yīng)用中,該 MOSFET 可用于驅(qū)動直流電動機和步進(jìn)電動機,確保在高壓和高電流條件下的可靠運行,滿足對精確控制和快速響應(yīng)的要求。

3. **電力轉(zhuǎn)換器**: PHX5N50E-VB 適用于各種電力轉(zhuǎn)換模塊,如逆變器和整流器。其高耐壓特性使其能夠應(yīng)對復(fù)雜的電力電子應(yīng)用,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

4. **電池管理系統(tǒng)**: 在電池管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于控制充放電過程,提高電池的使用效率和安全性。它在電池保護(hù)和能量監(jiān)測方面表現(xiàn)出色,防止過流和短路。

通過其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用,PHX5N50E-VB 成為設(shè)計工程師在高壓電源和控制系統(tǒng)中一個極具價值的選擇,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對高效率和高可靠性的需求。

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