--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
PHX7N60E-VB是一款高性能的單N通道MOSFET,采用TO220F封裝,專為650V高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏極-源極耐壓(VDS)達(dá)到650V,最大漏極電流(ID)為10A,適合在高壓和高功率環(huán)境中運(yùn)行。該MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為830mΩ@VGS=10V,能夠有效降低功耗并提高效率。其閾值電壓(Vth)為3.5V,使其能夠與多種控制電路兼容,非常適合用于電源管理和開關(guān)應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**:PHX7N60E-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單N通道
- **漏極-源極耐壓(VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:830mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:10A
- **技術(shù)**:Plannar技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **開關(guān)電源**:
PHX7N60E-VB非常適合用于高壓開關(guān)電源(SMPS),能夠在電源轉(zhuǎn)換過程中提供高效能和穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于工業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
該MOSFET在電機(jī)控制應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠高效驅(qū)動(dòng)高壓直流電機(jī),適用于電動(dòng)車輛、家用電器和電動(dòng)工具等場合,確保快速響應(yīng)和穩(wěn)定運(yùn)行。
3. **照明系統(tǒng)**:
PHX7N60E-VB可用于LED照明控制電路中,為LED燈提供穩(wěn)定的電流和電壓,確保高效能和長壽命,適合用于商業(yè)和住宅照明解決方案。
4. **電壓調(diào)節(jié)器**:
該MOSFET可用于線性穩(wěn)壓器和開關(guān)穩(wěn)壓器電路中,能夠在高電壓輸入下提供穩(wěn)定輸出,廣泛應(yīng)用于電源管理和穩(wěn)壓電路中,滿足多種應(yīng)用需求。
這些應(yīng)用展示了PHX7N60E-VB在高壓電源設(shè)計(jì)和控制系統(tǒng)中的廣泛適用性,強(qiáng)調(diào)了其在高效能和可靠性方面的優(yōu)越性能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛