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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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PHX8N50E-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): PHX8N50E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### PHX8N50E-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

PHX8N50E-VB 是一款高壓 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的漏極-源極電壓 (VDS) 高達(dá) 650V,使其在高電壓環(huán)境下依然能夠保持穩(wěn)定工作。該 MOSFET 在 VGS 為 10V 時(shí)的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 680mΩ,最大連續(xù)漏極電流 (ID) 為 12A,能夠?yàn)楦鞣N電力電子設(shè)備提供良好的開關(guān)性能和高效的導(dǎo)通能力。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: PHX8N50E-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單 N 通道
- **VDS**: 650V
- **VGS**: ±30V
- **Vth**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 680mΩ (在 VGS=10V 時(shí))
- **ID**: 12A
- **技術(shù)**: 平面技術(shù) (Plannar)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

PHX8N50E-VB 廣泛適用于多個(gè)電力電子領(lǐng)域,具體包括:

1. **開關(guān)電源**:
  - 在開關(guān)電源 (SMPS) 設(shè)計(jì)中,該 MOSFET 可作為高效的開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換和電流調(diào)節(jié),特別適合高頻應(yīng)用,提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **電機(jī)控制**:
  - 作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的關(guān)鍵開關(guān)元件,PHX8N50E-VB 能夠在高電流下穩(wěn)定工作,提高電機(jī)的效率和響應(yīng)速度,廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化和家用電器。

3. **逆變器**:
  - 在光伏和風(fēng)能逆變器中,PHX8N50E-VB 作為功率開關(guān)元件,有助于實(shí)現(xiàn)高壓輸出,提升可再生能源的利用效率。

4. **高壓電源管理**:
  - 在高壓電源管理模塊中,該 MOSFET 可有效控制電流流動(dòng),確保系統(tǒng)在高電壓環(huán)境下的安全和穩(wěn)定運(yùn)行。

5. **電池管理系統(tǒng)**:
  - PHX8N50E-VB 在電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能系統(tǒng)中可用于電池的充放電管理,提高電池使用的安全性和效率。

通過(guò)這些應(yīng)用示例,PHX8N50E-VB 在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用,能夠滿足高壓和高效能的需求。

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