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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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QM04N60F-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): QM04N60F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### QM04N60F-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

QM04N60F-VB 是一款高電壓?jiǎn)螛O N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 達(dá)到 650V,能夠承受高達(dá) 4A 的漏電流,適用于電源轉(zhuǎn)換和高壓應(yīng)用。憑借其較高的閾值電壓和適中的導(dǎo)通電阻,QM04N60F-VB 在高電壓操作中表現(xiàn)出色,是多種高壓電源管理應(yīng)用的理想選擇。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: QM04N60F-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單極 N 通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **開關(guān)電源**:
  QM04N60F-VB 在開關(guān)電源中被廣泛應(yīng)用,能夠有效管理高電壓的開關(guān)操作,確保電源轉(zhuǎn)換的高效性和穩(wěn)定性,適合各種電子設(shè)備的電源供應(yīng)。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以作為開關(guān)元件,支持高壓電機(jī)的控制,確保電機(jī)在不同工況下的穩(wěn)定運(yùn)行,適用于工業(yè)電機(jī)和家用電器。

3. **高壓 LED 照明**:
  QM04N60F-VB 可用于高壓 LED 照明應(yīng)用,支持高電壓驅(qū)動(dòng)的照明系統(tǒng),確保高效和均勻的光輸出,適合商業(yè)和住宅照明。

4. **可再生能源系統(tǒng)**:
  在太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中,該器件能夠處理高電壓電流,確保能量的高效轉(zhuǎn)換和傳輸,促進(jìn)可再生能源的利用。

5. **電池充電器**:
  QM04N60F-VB 適用于高電壓電池充電器中,提供安全穩(wěn)定的電源管理,確保電池的高效充電和延長(zhǎng)其使用壽命,適合電動(dòng)汽車和大容量電池系統(tǒng)。

通過(guò)這些應(yīng)用,QM04N60F-VB 展現(xiàn)出其在多個(gè)高壓領(lǐng)域的廣泛適用性和卓越性能,是高效能電源設(shè)計(jì)的重要組成部分。

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