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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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QM09N50F-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): QM09N50F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### QM09N50F-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

QM09N50F-VB 是一款高電壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為需要高耐壓和低功耗的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有650V的漏源電壓能力,采用Plannar技術(shù),能夠在高電流條件下穩(wěn)定工作。其導(dǎo)通電阻為680mΩ,最大漏電流為12A,適用于多種電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用,特別是在需要高耐壓的場(chǎng)合。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:QM09N50F-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **VDS(漏源電壓)**:650V
- **VGS(柵源電壓)**:±30V
- **Vth(柵閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)**:680mΩ(@ VGS = 10V)
- **ID(最大漏電流)**:12A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:QM09N50F-VB的650V漏源電壓能力使其非常適合用于高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源,能夠有效提高轉(zhuǎn)換效率并降低熱損耗,確保穩(wěn)定的輸出。

2. **工業(yè)控制**:在工業(yè)設(shè)備和自動(dòng)化系統(tǒng)中,該MOSFET可用于電源管理和驅(qū)動(dòng)電路,提供高效、可靠的功率控制,確保設(shè)備在高負(fù)載下的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **照明系統(tǒng)**:在高壓LED照明應(yīng)用中,QM09N50F-VB可以用作驅(qū)動(dòng)電路的核心組件,提供高效的開(kāi)關(guān)控制,優(yōu)化照明效果和能效。

4. **家用電器**:在家用電器中,該MOSFET可用于功率調(diào)節(jié)和控制,確保設(shè)備高效運(yùn)行并延長(zhǎng)使用壽命,適用于例如電熱水器和空調(diào)等高功率設(shè)備。

5. **電動(dòng)汽車**:在電動(dòng)汽車的電源管理系統(tǒng)中,QM09N50F-VB能夠處理高電壓和高電流,確保系統(tǒng)的高效能和安全性,提升整車性能。

通過(guò)其優(yōu)越的電氣特性,QM09N50F-VB為多個(gè)行業(yè)的應(yīng)用提供了強(qiáng)大的支持,幫助提升整體系統(tǒng)性能和可靠性。### QM09N50F-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

QM09N50F-VB 是一款高電壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為需要高耐壓和低功耗的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有650V的漏源電壓能力,采用Plannar技術(shù),能夠在高電流條件下穩(wěn)定工作。其導(dǎo)通電阻為680mΩ,最大漏電流為12A,適用于多種電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用,特別是在需要高耐壓的場(chǎng)合。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:QM09N50F-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **VDS(漏源電壓)**:650V
- **VGS(柵源電壓)**:±30V
- **Vth(柵閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)**:680mΩ(@ VGS = 10V)
- **ID(最大漏電流)**:12A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:QM09N50F-VB的650V漏源電壓能力使其非常適合用于高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源,能夠有效提高轉(zhuǎn)換效率并降低熱損耗,確保穩(wěn)定的輸出。

2. **工業(yè)控制**:在工業(yè)設(shè)備和自動(dòng)化系統(tǒng)中,該MOSFET可用于電源管理和驅(qū)動(dòng)電路,提供高效、可靠的功率控制,確保設(shè)備在高負(fù)載下的穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **照明系統(tǒng)**:在高壓LED照明應(yīng)用中,QM09N50F-VB可以用作驅(qū)動(dòng)電路的核心組件,提供高效的開(kāi)關(guān)控制,優(yōu)化照明效果和能效。

4. **家用電器**:在家用電器中,該MOSFET可用于功率調(diào)節(jié)和控制,確保設(shè)備高效運(yùn)行并延長(zhǎng)使用壽命,適用于例如電熱水器和空調(diào)等高功率設(shè)備。

5. **電動(dòng)汽車**:在電動(dòng)汽車的電源管理系統(tǒng)中,QM09N50F-VB能夠處理高電壓和高電流,確保系統(tǒng)的高效能和安全性,提升整車性能。

通過(guò)其優(yōu)越的電氣特性,QM09N50F-VB為多個(gè)行業(yè)的應(yīng)用提供了強(qiáng)大的支持,幫助提升整體系統(tǒng)性能和可靠性。

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