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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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QM14N65F-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): QM14N65F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:QM14N65F-VB

QM14N65F-VB是一款高壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓和高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏極到源極電壓(VDS)為650V,支持高達(dá)12A的漏電流(ID)。在柵極電壓(VGS)為10V時(shí),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為680mΩ,確保在各種負(fù)載條件下的良好性能。憑借其平面技術(shù)(Plannar),QM14N65F-VB在高電壓環(huán)境中表現(xiàn)出色,適合多種高效能量管理和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **型號(hào)**:QM14N65F-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏極到源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵極到源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:680mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:12A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:

1. **高壓開關(guān)電源**:QM14N65F-VB廣泛用于高壓開關(guān)電源(SMPS),作為開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換,適合各種電源管理需求。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**:在高電壓電動(dòng)機(jī)控制模塊中,該MOSFET可作為開關(guān),支持高效的電機(jī)驅(qū)動(dòng),提升電動(dòng)機(jī)的性能和效率。

3. **光伏逆變器**:QM14N65F-VB適用于光伏逆變器,作為功率開關(guān)實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換,增強(qiáng)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

4. **工業(yè)自動(dòng)化**:在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,該MOSFET可用于電源控制和負(fù)載管理,幫助實(shí)現(xiàn)高效的運(yùn)行和能量利用。

5. **充電器和電池管理**:適用于高壓充電器和電池管理系統(tǒng),QM14N65F-VB能夠有效控制電能流動(dòng),保護(hù)電池并提高充電效率。

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