--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### R5005CNX-VB 產(chǎn)品簡介
R5005CNX-VB 是一款高壓單極N型MOSFET,采用TO220F封裝,專為要求高耐壓和高效率的應(yīng)用而設(shè)計。其具備650V的源漏電壓(VDS)和±30V的柵源電壓(VGS),適合多種電力電子應(yīng)用。憑借其較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為1100mΩ@VGS=10V),R5005CNX-VB 在高電流環(huán)境下具有優(yōu)秀的導(dǎo)電性能,確保系統(tǒng)的高效率和可靠性。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: R5005CNX-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單極N型MOSFET
- **源漏電壓(VDS)**: 650V
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**: 7A
- **技術(shù)**: Plannar
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
R5005CNX-VB 適用于多個領(lǐng)域和模塊,包括但不限于:
1. **開關(guān)電源**:在高壓和高頻應(yīng)用中,R5005CNX-VB可用作開關(guān)元件,提供高效的電能轉(zhuǎn)換,降低能耗。
2. **電機驅(qū)動**:在電動機控制電路中,MOSFET能夠快速開關(guān)電流,提供良好的控制性能和效率,適用于無刷直流電機(BLDC)驅(qū)動。
3. **逆變器**:在太陽能逆變器或不間斷電源(UPS)中,R5005CNX-VB可用于高壓直流到交流的轉(zhuǎn)換,實現(xiàn)高效的電力傳輸。
4. **照明控制**:在LED驅(qū)動和調(diào)光控制系統(tǒng)中,R5005CNX-VB能提供穩(wěn)定的電流輸出,確保LED的高效亮度和壽命。
5. **電源管理**:在便攜式設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中,R5005CNX-VB用于電源管理模塊,提升電池的使用效率和延長使用壽命。
通過這些應(yīng)用,R5005CNX-VB 為各種電力電子系統(tǒng)提供了優(yōu)越的性能和可靠性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12