--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### R5007ANX-VB 產(chǎn)品簡介
R5007ANX-VB 是一款高電壓單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,設(shè)計(jì)用于需要高耐壓和高功率處理的應(yīng)用場景。該器件的漏源電壓(VDS)可高達(dá)650V,適合用于工業(yè)和電力電子設(shè)備中。其低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為830mΩ@VGS=10V)使得在高負(fù)載條件下能夠有效降低功耗,保證系統(tǒng)的高效率。R5007ANX-VB 采用Plannar技術(shù),確保了器件的穩(wěn)定性和可靠性,廣泛適用于多種高壓開關(guān)和電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**:R5007ANX-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單N溝道
- **VDS(漏源電壓)**:650V
- **VGS(柵源電壓)**:±30V
- **Vth(柵閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)**:830mΩ @ VGS=10V
- **ID(最大漏電流)**:10A
- **技術(shù)**:Plannar
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源轉(zhuǎn)換器**:R5007ANX-VB 可用于高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器,提供穩(wěn)定的輸出電壓和電流,適合用于電力供應(yīng)和電源管理模塊中。
2. **工業(yè)電源**:廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備和電力電子產(chǎn)品,如變頻器和逆變器,能夠承受高電壓和高負(fù)載,確保系統(tǒng)的可靠運(yùn)行。
3. **開關(guān)電源**:該MOSFET 適用于開關(guān)電源(SMPS),能夠提高能效并降低熱量生成,適合用于計(jì)算機(jī)電源和通信設(shè)備。
4. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電機(jī)控制領(lǐng)域,R5007ANX-VB 能夠高效驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī),確保高功率處理能力和快速響應(yīng)。
5. **汽車電子**:在汽車電源管理和高壓驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,R5007ANX-VB 可用于電動(dòng)汽車的電池管理和電動(dòng)機(jī)控制,提高系統(tǒng)的能效和可靠性。
R5007ANX-VB 是一款高性能、高電壓MOSFET,適合在各類高壓電源和控制系統(tǒng)中應(yīng)用,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對功率和效率的高要求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛