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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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RDX030N60-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): RDX030N60-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### RDX030N60-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

RDX030N60-VB 是一款高電壓?jiǎn)蜰通道MOSFET,采用TO220F封裝,專(zhuān)為高效能電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其額定漏極電壓為650V,適用于多種電力電子應(yīng)用。該MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)為2560mΩ)雖然相對(duì)較高,但在特定應(yīng)用場(chǎng)景中仍能夠有效地滿(mǎn)足需求。憑借其平面技術(shù)(Plannar),RDX030N60-VB廣泛應(yīng)用于工業(yè)、消費(fèi)電子以及汽車(chē)電子等領(lǐng)域,適合對(duì)高電壓和可靠性有較高要求的場(chǎng)合。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:RDX030N60-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰通道
- **漏極電壓(VDS)**:650V
- **柵極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:4A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **開(kāi)關(guān)電源**:
  RDX030N60-VB適合用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS),盡管其導(dǎo)通電阻相對(duì)較高,但在較低功率和高電壓的應(yīng)用中依然能夠提供穩(wěn)定的性能,確保系統(tǒng)的安全運(yùn)行。

2. **高電壓應(yīng)用**:
  該MOSFET可用于需要高電壓的電子設(shè)備,如電力轉(zhuǎn)換器和電源模塊,支持在650V的工作環(huán)境中進(jìn)行可靠的電流控制。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  在電機(jī)控制應(yīng)用中,RDX030N60-VB能夠提供必要的開(kāi)關(guān)性能,適合低功率電機(jī)控制方案,滿(mǎn)足各類(lèi)小型電動(dòng)工具和家用電器的需求。

4. **LED驅(qū)動(dòng)**:
  此MOSFET也可用于LED驅(qū)動(dòng)電路,適合于高電壓LED照明方案,盡管其導(dǎo)通電阻較高,但在特定條件下仍能滿(mǎn)足高效能的能量轉(zhuǎn)換需求。

綜上所述,RDX030N60-VB憑借其可靠的電氣特性和廣泛的適用性,在高電壓電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用,適合多種應(yīng)用領(lǐng)域的需求。

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