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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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RJK4002DPP-M0-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): RJK4002DPP-M0-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### RJK4002DPP-M0-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

RJK4002DPP-M0-VB 是一款高電壓 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓和低電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件支持高達(dá) 650V 的漏源電壓,最大漏電流為 4A,具有相對(duì)較高的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),使其適用于特定的功率管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件采用 Plannar 技術(shù),確保了良好的熱管理和穩(wěn)定性,滿足高電壓環(huán)境下的可靠性需求。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:RJK4002DPP-M0-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高壓開(kāi)關(guān)電源**:
  - RJK4002DPP-M0-VB 可用于高壓開(kāi)關(guān)電源(SMPS),在需要高電壓和低電流的應(yīng)用中優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換效率。

2. **電源管理系統(tǒng)**:
  - 該 MOSFET 可用于各種電源管理模塊,支持高電壓電源的開(kāi)關(guān)控制,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

3. **工業(yè)設(shè)備**:
  - 在工業(yè)電源和控制設(shè)備中,該器件可作為高電壓開(kāi)關(guān),滿足工業(yè)應(yīng)用對(duì)高效能和高可靠性的要求。

4. **電池充放電管理**:
  - RJK4002DPP-M0-VB 適合用于電池充放電管理系統(tǒng),在高電壓條件下提供安全的開(kāi)關(guān)控制。

5. **高頻逆變器**:
  - 在高頻逆變器中,該 MOSFET 可以有效支持高電壓的開(kāi)關(guān)操作,適用于可再生能源系統(tǒng),如太陽(yáng)能逆變器。

通過(guò)這些應(yīng)用實(shí)例,RJK4002DPP-M0-VB 展示出其在特定高電壓領(lǐng)域的廣泛適用性和高效能,是現(xiàn)代高電壓電子設(shè)計(jì)中不可或缺的重要元件。

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