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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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RU5H11P-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): RU5H11P-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
RU5H11P-VB是一款高電壓?jiǎn)蜰通道MOSFET,采用TO220F封裝,專為需要高電壓和高電流處理的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其優(yōu)良的電氣性能和卓越的導(dǎo)通特性使其適用于各種工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。RU5H11P-VB在高壓開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)效率和可靠性的高要求。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: RU5H11P-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **門限電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 830mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)**: Plannar

### 適用領(lǐng)域與模塊
1. **高壓電源供應(yīng)**: RU5H11P-VB非常適合用于高壓開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器,能夠處理高達(dá)650V的電壓,確保電源轉(zhuǎn)換效率并提供穩(wěn)定的輸出,廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、充電器和電池管理系統(tǒng)。

2. **電機(jī)控制**: 該MOSFET可用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,尤其是在高壓環(huán)境中。RU5H11P-VB可以在變頻器和伺服驅(qū)動(dòng)器中提供高效的控制和保護(hù),適合于各類電動(dòng)工具、家電和自動(dòng)化設(shè)備。

3. **照明控制**: 在LED照明應(yīng)用中,RU5H11P-VB能夠控制高壓LED驅(qū)動(dòng)器,確保光源的穩(wěn)定和高效,適用于各種照明解決方案,包括室內(nèi)和戶外照明。

4. **功率放大器**: RU5H11P-VB可用于通信和音頻設(shè)備中的功率放大器,能夠在高電壓和高電流條件下提供穩(wěn)定的信號(hào)放大,適合音頻放大器和無(wú)線電頻率應(yīng)用。

5. **工業(yè)自動(dòng)化**: 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,該MOSFET可用于負(fù)載開關(guān)和電源管理,確保設(shè)備的高效能和可靠性,適合用于機(jī)械控制和制造過(guò)程中的各種應(yīng)用。

憑借其高電壓能力和優(yōu)良的性能,RU5H11P-VB為各類高壓應(yīng)用提供了強(qiáng)大的解決方案,推動(dòng)了電力電子技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用。

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