91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 80 粉絲

RU6H10P-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: RU6H10P-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

RU6H10P-VB是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,設(shè)計用于650V的高壓電源應用。其30V的柵源電壓(VGS)范圍和3.5V的門檻電壓(Vth)確保了設(shè)備在高壓工作環(huán)境下的可靠性。RU6H10P-VB在10V的柵源電壓下,具有680mΩ的導通電阻,最大漏電流可達12A。采用平面結(jié)構(gòu)技術(shù)(Plannar),該MOSFET在高電壓條件下具備穩(wěn)定的性能,特別適用于需要高電壓隔離和控制的應用。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: RU6H10P-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 650V
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流(ID)**: 12A
- **技術(shù)**: 平面結(jié)構(gòu)(Plannar)

### 應用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**: RU6H10P-VB適合高壓電源轉(zhuǎn)換器應用,用于AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換,尤其適用于工業(yè)電源設(shè)備和通信基站的電源管理,提供高效率的能量轉(zhuǎn)換。

2. **電機驅(qū)動器**: 該MOSFET在工業(yè)和家用電機驅(qū)動控制中可提供可靠的高壓隔離和電流控制,適合用于高壓直流(HVDC)電機控制應用,實現(xiàn)精確的功率調(diào)節(jié)。

3. **UPS系統(tǒng)**: 在不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中,RU6H10P-VB能夠用于高壓側(cè)的電力開關(guān)管理,確保高電壓條件下的持續(xù)供電,增強系統(tǒng)穩(wěn)定性。

4. **LED照明驅(qū)動**: 在LED照明驅(qū)動器中,特別是工業(yè)照明和路燈等高壓應用場景中,該器件可用于高壓控制電路,支持安全、穩(wěn)定的電流調(diào)節(jié),延長LED組件的使用壽命。

5. **太陽能逆變器**: RU6H10P-VB適合在太陽能光伏逆變器中用作高壓側(cè)開關(guān)元件,幫助將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,實現(xiàn)高效的能量傳輸和功率管理。

RU6H10P-VB憑借其高耐壓和可靠的電流控制能力,在多種高壓應用中提供穩(wěn)定性能,非常適合電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動和太陽能逆變器等場景。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    505瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    426瀏覽量