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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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RU6H9P-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): RU6H9P-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### RU6H9P-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

RU6H9P-VB 是一款高壓 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓為 650V,使其能夠在嚴(yán)苛的電力環(huán)境中穩(wěn)定工作,最大漏電流可達(dá) 10A。該器件采用 Plannar 技術(shù),具有相對(duì)較高的導(dǎo)通電阻,適合用于電力管理和高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用。RU6H9P-VB 的設(shè)計(jì)確保了在高電壓操作下的可靠性,是多種工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用的理想選擇。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: RU6H9P-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單極 N 型 MOSFET
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換**: RU6H9P-VB 常用于高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源中,作為開(kāi)關(guān)元件,能夠提供可靠的性能并降低能量損耗,適合用于工業(yè)電源和高功率應(yīng)用。

2. **電動(dòng)汽車**: 在電動(dòng)汽車的動(dòng)力系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路和電池管理系統(tǒng),支持高壓操作并保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效性。

3. **高壓照明系統(tǒng)**: RU6H9P-VB 適合用于高壓照明設(shè)備,如 HID 燈和高壓 LED 燈具,能夠在高電壓條件下提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)控制。

4. **電力電子設(shè)備**: 在電力電子設(shè)備中,RU6H9P-VB 可用作功率放大器或開(kāi)關(guān)元件,確保設(shè)備在高負(fù)載下的穩(wěn)定運(yùn)行,廣泛應(yīng)用于各種電力控制系統(tǒng)。

5. **工業(yè)自動(dòng)化**: 該 MOSFET 可作為控制元件用于工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中,提升負(fù)載開(kāi)關(guān)的響應(yīng)速度和控制精度,適合于各種高壓應(yīng)用。

RU6H9P-VB 是一款設(shè)計(jì)優(yōu)良的高壓 MOSFET,適用于對(duì)高電壓和可靠性有嚴(yán)格要求的各種電子產(chǎn)品和系統(tǒng)。

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