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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SDF06N60-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): SDF06N60-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介**  
SDF06N60-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極 N 通道 MOSFET,具有 650V 的漏源電壓 (VDS) 和 7A 的最大漏電流 (ID)。該 MOSFET 采用 Planar 技術(shù),導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 1100mΩ @ VGS=10V,適用于中高電壓及中等電流的應(yīng)用。憑借其較高的漏源電壓和良好的開關(guān)性能,SDF06N60-VB 非常適合在電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)及高壓電源管理系統(tǒng)中使用。該器件具有較好的熱穩(wěn)定性,能夠在各種工作環(huán)境中提供可靠的電流控制,適用于高電壓環(huán)境下的電力設(shè)備和工業(yè)系統(tǒng)。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明**  
- **封裝**:TO220F  
- **配置**:?jiǎn)螛O N 通道  
- **漏源電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏電流 (ID)**:7A  
- **技術(shù)**:Planar 技術(shù)  

**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例**  
SDF06N60-VB 主要應(yīng)用于需要較高電壓承受能力且中等電流處理的電源管理系統(tǒng),特別適用于**高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器**和**AC-DC 電源模塊**,如在工業(yè)電源、消費(fèi)類電子及通信設(shè)備中提供電源轉(zhuǎn)換和電流調(diào)節(jié)。其高達(dá) 650V 的漏源電壓使其非常適合用于高電壓輸入的電源系統(tǒng)中。

在**負(fù)載開關(guān)控制**和**電動(dòng)工具**領(lǐng)域,SDF06N60-VB 可用于高壓電源的負(fù)載開關(guān)控制電路。它能夠處理來(lái)自電網(wǎng)或其他高電壓源的輸入電壓,適用于如**電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路**、**家電控制系統(tǒng)**等應(yīng)用。

此外,SDF06N60-VB 還可應(yīng)用于**功率因數(shù)校正 (PFC)** 電路和**逆變器**等高效能電源管理系統(tǒng)。由于其穩(wěn)定的導(dǎo)通電阻和較高的電壓承受能力,它可幫助這些系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定、高效的電流調(diào)節(jié)和電壓轉(zhuǎn)換,確保系統(tǒng)在高負(fù)載和高電壓環(huán)境下可靠運(yùn)行。

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