91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

SiHFI730G-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: SiHFI730G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. **產(chǎn)品簡介(SiHFI730G-VB)**

**SiHFI730G-VB** 是一款 **單 N-Channel MOSFET**,采用 **TO220F** 封裝,適用于中等功率負載的開關(guān)和調(diào)節(jié)應(yīng)用。其 **VDS(漏源電壓)** 高達 **650V**,非常適合用于 **高電壓控制** 的場合。該 MOSFET 的 **RDS(ON)** 在 **VGS=10V** 時為 **1100mΩ**,最大 **漏極電流(ID)** 為 **7A**。采用 **Plannar** 技術(shù)制造,能夠提供相對較高的電流承載能力,適用于 **電力電子、開關(guān)電源、以及電機控制** 等多個領(lǐng)域。

### 2. **詳細參數(shù)說明**

| **參數(shù)**                | **描述**                                                     |
|-------------------------|-------------------------------------------------------------|
| **型號**                | SiHFI730G-VB                                                |
| **封裝類型**            | TO220F                                                      |
| **配置**                | 單 N-Channel                                                 |
| **VDS(漏源電壓)**      | 650V                                                         |
| **VGS(柵源電壓)**      | ±30V                                                         |
| **Vth(開啟電壓)**      | 3.5V                                                         |
| **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**   | 1100mΩ@VGS=10V                                               |
| **ID(漏極電流)**       | 7A                                                           |
| **技術(shù)**                | Plannar                                                      |
| **最大功耗**            | 45W                                                          |
| **工作溫度范圍**        | -55°C 至 150°C                                               |
| **熱阻(封裝)**        | 62°C/W                                                        |
| **Qg(柵極電荷)**      | 38nC                                                          |
| **封裝材料**            | 環(huán)氧樹脂                                                      |

### 3. **應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例**

#### 1) **電源管理系統(tǒng)(Power Management Systems)**
**SiHFI730G-VB** 適用于 **開關(guān)電源(SMPS)** 和 **電源管理系統(tǒng)**,特別是在 **高壓電源** 的設(shè)計中。在 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 和 **AC-DC 轉(zhuǎn)換器** 中,MOSFET 用于調(diào)節(jié)和控制電流的流動,其 **650V** 的高耐壓能力使其能夠處理高壓輸入的電源。MOSFET 的 **低導(dǎo)通電阻**(1100mΩ)確保了開關(guān)過程中的低功率損耗,從而提高了系統(tǒng)效率,減少了熱量積累。

#### 2) **電機控制系統(tǒng)(Motor Control Systems)**
在 **電機控制系統(tǒng)** 中,**SiHFI730G-VB** 可以作為 **電流開關(guān)** 用于調(diào)節(jié)電機驅(qū)動的電源。該 MOSFET 的 **7A** 的最大漏極電流能力使其適用于 **低到中功率** 的電機驅(qū)動應(yīng)用。其 **650V** 的耐壓等級保證了電機系統(tǒng)中對電壓波動的穩(wěn)定性,尤其適合于 **直流電機驅(qū)動** 和 **步進電機控制**。

#### 3) **逆變器應(yīng)用(Inverter Applications)**
在 **太陽能逆變器** 或 **電池儲能系統(tǒng)(BESS)** 中,**SiHFI730G-VB** 用于將 **直流電(DC)** 轉(zhuǎn)換為 **交流電(AC)**。其 **650V** 的耐壓能力確??梢猿惺苣孀兤髦懈邏狠敵龅男枨?。MOSFET 的開關(guān)特性能夠保證轉(zhuǎn)換效率,尤其在 **逆變器中** 用作 **負載開關(guān)** 時,能夠有效控制電流流向,提高系統(tǒng)的整體效率。

#### 4) **電池管理系統(tǒng)(Battery Management Systems)**
**SiHFI730G-VB** 可用于 **電池管理系統(tǒng)(BMS)** 中,特別是在 **充電/放電路徑的控制** 中。在 **鋰電池充電器** 和 **電池保護電路** 中,MOSFET 用于開關(guān)控制,確保電池在安全電壓范圍內(nèi)運行。其 **650V** 的高耐壓能力使其在電池充電過程中具有較高的可靠性,同時 **較低的導(dǎo)通電阻** 可以提高效率,減少熱量產(chǎn)生。

#### 5) **功率因數(shù)校正(PFC)**
在 **功率因數(shù)校正電路(PFC)** 中,**SiHFI730G-VB** 可以用于高電壓輸入的調(diào)節(jié)電流。MOSFET 的高壓承載能力使其適用于 **工業(yè)級電源** 和 **AC-DC 轉(zhuǎn)換器** 中的 **PFC電路**,能夠幫助提高電源的功率因數(shù),并減少電力浪費和無效功率,優(yōu)化電源性能。

#### 6) **家電電源(Home Appliance Power Supply)**
該 MOSFET 還適用于 **家電電源管理系統(tǒng)**,例如 **電飯煲、微波爐和洗衣機** 等家電的電源設(shè)計。由于 **SiHFI730G-VB** 具備高效的開關(guān)特性和穩(wěn)定的耐壓性能,它在低到中功率應(yīng)用中能夠提供可靠的電源轉(zhuǎn)換,幫助提高家電設(shè)備的能效和穩(wěn)定性。

#### 7) **UPS(不間斷電源)系統(tǒng)**
在 **UPS** 系統(tǒng)中,**SiHFI730G-VB** 可作為 **開關(guān)元件**,實現(xiàn)電力的高效轉(zhuǎn)換。在 **不間斷電源** 中,MOSFET 負責(zé) **直流電源(DC)到交流電源(AC)** 的轉(zhuǎn)換,確保在市電中斷時,系統(tǒng)能夠提供穩(wěn)定的電力輸出,尤其在高負載或復(fù)雜電力需求場景中。

#### 8) **汽車電源(Automotive Power Supplies)**
**SiHFI730G-VB** 可用于 **汽車電源管理** 和 **電動汽車** 中的 **高壓電源轉(zhuǎn)換器**,提供 **DC-DC 轉(zhuǎn)換** 功能。在 **電動汽車充電系統(tǒng)** 和 **電池電源模塊** 中,該 MOSFET 的 **高耐壓能力** 能夠穩(wěn)定支持汽車中的電源管理系統(tǒng),優(yōu)化電動汽車的電池充電過程。

### 總結(jié):
**SiHFI730G-VB** 是一款 **單 N-Channel MOSFET**,適用于高電壓應(yīng)用,具有 **650V** 的耐壓能力和 **7A** 的漏極電流。其采用 **Plannar 技術(shù)**,提供 **較低的導(dǎo)通電阻**(1100mΩ),適合多種電源管理、電機控制、逆變器、功率因數(shù)校正、電池管理和家電電源等應(yīng)用領(lǐng)域。通過提供高效的電流控制和開關(guān)性能,該 MOSFET 能夠提升系統(tǒng)整體效率,減少能量損耗,適用于高壓環(huán)境中的各種電子設(shè)備。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    468瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    408瀏覽量