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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SSS4N60AS-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): SSS4N60AS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### SSS4N60AS-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**SSS4N60AS-VB** 是一款適用于中等功率應(yīng)用的 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝,能夠在高達(dá) 650V 的漏源電壓(VDS)下運(yùn)行,提供可靠的開(kāi)關(guān)控制。該產(chǎn)品的柵源電壓(VGS)范圍為 ±30V,適合多種電壓控制系統(tǒng)。開(kāi)啟閾值電壓(Vth)為 3.5V,確保良好的開(kāi)關(guān)特性。導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 2560mΩ(在 VGS=10V 時(shí)),適用于電流較小的應(yīng)用,最大漏極電流(ID)為 4A。SSS4N60AS-VB 采用 **Plannar** 技術(shù),適用于低功率開(kāi)關(guān)電源、家電控制、以及其他中等功率的功率管理應(yīng)用。

---

### SSS4N60AS-VB 參數(shù)說(shuō)明

| **參數(shù)**               | **值**               | **說(shuō)明**                                                       |  
|----------------------|--------------------|--------------------------------------------------------------|  
| **封裝類型**           | TO220F              | TO220F 封裝,提供更好的散熱效果,適用于中小功率應(yīng)用。                                            |  
| **配置**              | 單 N 溝道            | 單 N 溝道配置,適用于各種開(kāi)關(guān)電源和功率控制電路。                                                |  
| **漏源電壓 (VDS)**     | 650V                | 最大漏源電壓為 650V,適合中等電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。                                                    |  
| **柵源電壓 (VGS)**     | ±30V                | 提供 ±30V 的柵源電壓范圍,適應(yīng)多種控制電路設(shè)計(jì)。                                                |  
| **開(kāi)啟閾值電壓 (Vth)** | 3.5V                | 開(kāi)啟閾值電壓為 3.5V,確??煽康拈_(kāi)關(guān)動(dòng)作。                                                      |  
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**  | 2560mΩ @ VGS=10V    | 在 VGS=10V 時(shí),導(dǎo)通電阻為 2560mΩ,適合小電流負(fù)載,幫助降低功率損耗。                                 |  
| **最大漏極電流 (ID)**  | 4A                  | 最大漏極電流為 4A,適合中小功率應(yīng)用。                                                           |  
| **技術(shù)類型**           | Plannar             | 采用 Plannar 技術(shù),提供高效的開(kāi)關(guān)性能和穩(wěn)定的電流傳導(dǎo)。                                           |  

---

### SSS4N60AS-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

#### 1. **小功率開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**  
**應(yīng)用場(chǎng)景:** SSS4N60AS-VB 適用于小型開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中,用作功率開(kāi)關(guān)元件,尤其在要求中等電壓和小電流的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景中。  
**特點(diǎn)優(yōu)勢(shì):** 該 MOSFET 能夠在 650V 的電壓下高效地進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作,配合其較低的漏極電流特性,能夠滿足小功率電源系統(tǒng)的可靠性與效率要求。

#### 2. **家電控制電路**  
**應(yīng)用場(chǎng)景:** 在家電控制電路中,SSS4N60AS-VB 可以用于電源管理模塊,幫助實(shí)現(xiàn)高效的電力調(diào)節(jié)。  
**特點(diǎn)優(yōu)勢(shì):** 該 MOSFET 的 650V 電壓耐受能力,使其能夠處理家電中常見(jiàn)的中等電壓電源;其較高的導(dǎo)通電阻也適合一些小電流控制應(yīng)用,如小型電機(jī)或電磁閥的控制。

#### 3. **LED 驅(qū)動(dòng)器**  
**應(yīng)用場(chǎng)景:** 在 LED 驅(qū)動(dòng)電路中,SSS4N60AS-VB 可用作驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān),控制 LED 燈的電流和開(kāi)關(guān)操作。  
**特點(diǎn)優(yōu)勢(shì):** 其高電壓能力和適中的導(dǎo)通電阻使得它適合在需要較高電壓、低電流的應(yīng)用中,確保高效的電源管理和穩(wěn)定的 LED 控制。

#### 4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**  
**應(yīng)用場(chǎng)景:** 在電池管理系統(tǒng)中,SSS4N60AS-VB 可用于電池充放電過(guò)程的功率控制,幫助電池保持最佳狀態(tài)。  
**特點(diǎn)優(yōu)勢(shì):** 該 MOSFET 的穩(wěn)定性和適中的導(dǎo)通電阻,在電池充電和放電過(guò)程中有助于減少功率損耗,并提供可靠的控制。

#### 5. **逆變器系統(tǒng)**  
**應(yīng)用場(chǎng)景:** 在太陽(yáng)能逆變器和其他電源逆變系統(tǒng)中,SSS4N60AS-VB 可用作功率開(kāi)關(guān),幫助實(shí)現(xiàn)從直流到交流的轉(zhuǎn)換。  
**特點(diǎn)優(yōu)勢(shì):** 由于其較高的電壓能力和可靠的開(kāi)關(guān)性能,這款 MOSFET 適用于逆變器中對(duì)電壓要求較高的環(huán)境,能夠穩(wěn)定工作在轉(zhuǎn)換過(guò)程中的高壓電源模塊中。

#### 6. **工業(yè)電源系統(tǒng)**  
**應(yīng)用場(chǎng)景:** 在一些工業(yè)電源系統(tǒng)中,如工業(yè)自動(dòng)化控制、傳感器電源和控制器,SSS4N60AS-VB 可用于高壓電源管理。  
**特點(diǎn)優(yōu)勢(shì):** 該 MOSFET 提供了高達(dá) 650V 的耐壓能力,適合工業(yè)控制電路中對(duì)電壓承受能力較強(qiáng)的開(kāi)關(guān)需求,幫助確保電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效性。

SSS4N60AS-VB 的 650V 漏源電壓和 4A 漏極電流,使其適用于多種中等功率應(yīng)用,尤其是在小功率開(kāi)關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)、LED 驅(qū)動(dòng)器以及工業(yè)控制系統(tǒng)中提供高效、可靠的電力調(diào)節(jié)與轉(zhuǎn)換。

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