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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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STF10NK50Z-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: STF10NK50Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

**STF10NK50Z-VB** 是一款采用 **TO220F 封裝** 的 **單一 N 溝道 MOSFET**,基于 **平面(Plannar)技術**,適用于中高壓電源和開關控制應用。其 **650V 的漏源極電壓 (VDS)** 和 **12A 的最大漏極電流 (ID)**,使其非常適合用于需要高電壓和較大電流處理能力的場合。該 MOSFET 的 **低導通電阻(RDS(ON) = 680mΩ @ VGS=10V)** 進一步優(yōu)化了功率損耗,提升了開關效率。憑借其穩(wěn)定的閾值電壓 **3.5V**,它能提供可靠的開關性能,適用于電力電子系統(tǒng)中的多種模塊。

---

### 詳細參數(shù)說明

| **參數(shù)類別**        | **參數(shù)值**                     | **說明**                                                                 |
|----------------------|--------------------------------|--------------------------------------------------------------------------|
| **封裝類型**        | TO-220F                        | 提供良好的散熱能力,適用于高功率應用,適合較大的電流和功率處理         |
| **通道配置**        | 單一 N 溝道                    | 提供高效的電流導通與開關能力                                            |
| **最大漏源極電壓 (VDS)** | 650V                           | 適合中高壓電源控制,能夠處理較高電壓的應用                              |
| **最大柵極驅動電壓 (VGS)** | ±30V                          | 提供靈活的柵極驅動電壓范圍,適應各種控制信號輸入                        |
| **閾值電壓 (Vth)**  | 3.5V                           | 較低的閾值電壓,確保更早開通,有助于提高開關效率                         |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 680mΩ @ VGS=10V                | 低導通電阻,減少開關損耗,提高功率傳輸效率                              |
| **最大漏極電流 (ID)** | 12A                            | 較大的漏極電流處理能力,適合更高功率負載                                |
| **技術類型**        | 平面(Plannar)                 | 提供優(yōu)良的性能穩(wěn)定性和較低的開關損耗,適用于各種電力轉換系統(tǒng)              |

---

### 應用領域和模塊舉例

1. **開關電源(SMPS)**
  - **應用場景**:STF10NK50Z-VB 常用于高效的開關電源設計中,作為主開關器件。
  - **說明**:該 MOSFET 的 **650V 耐壓能力** 和 **680mΩ 的導通電阻** 使其非常適合用于高壓電源中,提供高效的電流轉換和低功率損耗,尤其在 **直流/交流(DC/AC)轉換電源** 中表現(xiàn)出色。

2. **電動機驅動**
  - **應用場景**:適用于電動工具、家用電器、電動汽車驅動系統(tǒng)等。
  - **說明**:STF10NK50Z-VB 的 **12A 的最大漏極電流** 使其適用于需要較大電流處理的電機驅動系統(tǒng)中。無論是低功率還是高功率的電動機控制,這款 MOSFET 都能提供穩(wěn)定的性能,確保驅動系統(tǒng)的高效運行。

3. **太陽能逆變器**
  - **應用場景**:在太陽能光伏系統(tǒng)的逆變器中,將直流電轉換為交流電。
  - **說明**:憑借其高 **650V 的耐壓能力** 和 **平面技術(Plannar)** 提供的低損耗特性,STF10NK50Z-VB 在太陽能逆變器中的使用能夠提升整體效率,減少能量轉換過程中的損失,特別適合需要高電壓和高可靠性的逆變器應用。

4. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**
  - **應用場景**:用于電池的充放電控制模塊,確保電池系統(tǒng)的安全與高效運行。
  - **說明**:該 MOSFET 的 **650V 耐壓** 和 **較低的導通電阻** 使其適用于電池管理系統(tǒng)中的高效電流控制,尤其在需要快速響應和穩(wěn)定性的電池充放電過程中,表現(xiàn)出色。

5. **工業(yè)電力控制系統(tǒng)**
  - **應用場景**:工業(yè)自動化系統(tǒng)中的電力開關與控制模塊。
  - **說明**:STF10NK50Z-VB 由于其 **650V 的高電壓承受能力** 和 **12A 的電流承載能力**,是理想的選擇,廣泛應用于電力控制系統(tǒng)中的開關電源、變頻器等高功率系統(tǒng)。

通過其優(yōu)越的電壓和電流處理能力,**STF10NK50Z-VB** 在需要穩(wěn)定高效電力控制的應用中表現(xiàn)優(yōu)異,尤其適用于電源系統(tǒng)、電機驅動、太陽能逆變器等領域。

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