--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
- ID 12A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、STF10NM60N-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
STF10NM60N-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單 N 溝道功率 MOSFET,適用于高電壓和高電流應(yīng)用。它具有 650V 的漏源耐壓(VDS)和 12A 的最大漏極電流(ID),非常適合用于高效的電源轉(zhuǎn)換和功率控制電路。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻為 680mΩ(VGS=10V),能夠在低功率損耗的情況下提供穩(wěn)定的電流控制。其開(kāi)啟電壓(Vth)為 3.5V,適用于要求較高柵極驅(qū)動(dòng)電壓的應(yīng)用。STF10NM60N-VB 采用 Plannar 技術(shù),具有較好的電流控制性能,適合應(yīng)用于電源系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備、以及高壓驅(qū)動(dòng)模塊等多個(gè)領(lǐng)域。
---
### 二、STF10NM60N-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| **參數(shù)類別** | **參數(shù)值** | **說(shuō)明** |
|-------------------|-------------------------|---------------------------------|
| **封裝** | TO220F | 大功率封裝,適合高電壓和高電流應(yīng)用 |
| **配置** | 單 N 溝道 | 單極性設(shè)計(jì),適用于常規(guī)功率應(yīng)用 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 650V | 高電壓承載能力,適合高壓電源轉(zhuǎn)換器 |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±30V | 寬柵極電壓范圍,適用于靈活控制 |
| **開(kāi)啟電壓 (Vth)** | 3.5V | 較高開(kāi)啟電壓,適用于需要較高柵驅(qū)動(dòng)電壓的電路 |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 680mΩ @ VGS=10V | 較低導(dǎo)通電阻,有效減少功率損耗 |
| **最大漏極電流 (ID)** | 12A | 高電流承載能力,適合高功率應(yīng)用 |
| **技術(shù)** | Plannar | Plannar 技術(shù),穩(wěn)定的電流控制性能和較低的損耗 |
| **工作頻率** | 高頻 | 適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用 |
---
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
#### 1. **高電壓電源轉(zhuǎn)換器**
STF10NM60N-VB 適用于各種電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,尤其是高電壓(最大 650V)的電源系統(tǒng),如 AC-DC 轉(zhuǎn)換器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等。在這些系統(tǒng)中,該 MOSFET 能有效地控制高電壓輸入輸出,降低功率損失,提升轉(zhuǎn)換效率。
#### 2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**
在工業(yè)設(shè)備和電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中,STF10NM60N-VB 可作為高效的開(kāi)關(guān)元件。它的 12A 最大漏極電流和低導(dǎo)通電阻使其適合用于電機(jī)的精確控制與驅(qū)動(dòng)。在電動(dòng)工具、電動(dòng)泵、風(fēng)扇等設(shè)備中,能夠提供穩(wěn)定的電流和效率,減少電機(jī)啟動(dòng)和運(yùn)行時(shí)的損耗。
#### 3. **功率因數(shù)校正(PFC)**
該 MOSFET 的高電壓耐受能力和低導(dǎo)通電阻使其成為功率因數(shù)校正(PFC)電路的理想選擇。通過(guò)提高電源轉(zhuǎn)換效率,它幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的電能利用率,減少浪費(fèi),特別適合于大功率電源系統(tǒng)、充電站和高效電源適配器中。
#### 4. **家電和工業(yè)設(shè)備電源模塊**
在家電和工業(yè)設(shè)備的電源模塊中,STF10NM60N-VB 可以提供可靠的功率轉(zhuǎn)換。它的高耐壓和良好的開(kāi)關(guān)特性使其適合用于空調(diào)、冰箱、電力控制系統(tǒng)等設(shè)備的電源管理,幫助提高系統(tǒng)的整體性能和穩(wěn)定性。
#### 5. **電源保護(hù)模塊**
該 MOSFET 也適用于電源保護(hù)模塊,如過(guò)壓保護(hù)、電池保護(hù)和過(guò)流保護(hù)系統(tǒng)。其高電壓耐受能力和良好的熱管理能力,使其在要求穩(wěn)定性和安全性的電源保護(hù)設(shè)計(jì)中非常有用。
#### 6. **逆變器和可再生能源系統(tǒng)**
STF10NM60N-VB 在逆變器和可再生能源系統(tǒng)中也有廣泛應(yīng)用。它能夠承受高電壓,適合用于太陽(yáng)能逆變器、風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)等中高功率的電源轉(zhuǎn)換。它在這些領(lǐng)域中的高效性能幫助降低系統(tǒng)的能源損耗,提高系統(tǒng)的輸出效率。
通過(guò)以上幾個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,STF10NM60N-VB 可見(jiàn)在要求高耐壓和高效能電流控制的場(chǎng)景中具有廣泛的應(yīng)用前景,特別適用于工業(yè)電源、驅(qū)動(dòng)電路、電源轉(zhuǎn)換及保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛