--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### **STP7NB60FP-VB 產(chǎn)品簡介**
STP7NB60FP-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓、高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(V_DS)為 650V,能夠滿足工業(yè)電源、高壓電力系統(tǒng)等要求高電壓承載的應(yīng)用需求。該 MOSFET 具有出色的導(dǎo)通電阻(R_DS(ON)),在 V_GS = 10V 時(shí)為 1100mΩ,適合需要低功耗和高效率的應(yīng)用。
STP7NB60FP-VB 使用 Plannar 技術(shù)制造,提供了較高的穩(wěn)定性和良好的熱管理能力,適用于高頻、高電流環(huán)境。其最大漏極電流(I_D)為 7A,確保能夠處理較大電流負(fù)載,適合在多個(gè)領(lǐng)域內(nèi)的電力轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中使用。憑借其出色的開關(guān)特性和耐高壓能力,STP7NB60FP-VB 是電源系統(tǒng)、逆變器、以及電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域中的理想選擇。
---
### **STP7NB60FP-VB 詳細(xì)參數(shù)說明**
| **參數(shù)** | **描述** |
|----------------------------|-------------------------------------|
| **封裝** | TO220F |
| **配置** | 單一 N-Channel |
| **V_DS(最大漏源電壓)** | 650V |
| **V_GS(最大柵極-源極電壓)** | ±30V |
| **V_th(閾值電壓)** | 3.5V |
| **R_DS(ON)(導(dǎo)通電阻)** | 1100mΩ@V_GS=10V |
| **I_D(最大漏電流)** | 7A |
| **技術(shù)** | Plannar 技術(shù) |
| **工作溫度范圍** | -55°C 到 150°C |
| **開關(guān)速度** | 中等開關(guān)速度,適合高頻開關(guān)應(yīng)用 |
| **應(yīng)用** | 高壓電源、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等 |
| **熱管理** | 良好的熱管理,適合大功率應(yīng)用 |
---
### **STP7NB60FP-VB 適用領(lǐng)域和模塊**
STP7NB60FP-VB 由于其出色的高電壓承載能力和較低的導(dǎo)通電阻,廣泛應(yīng)用于高功率電源、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等領(lǐng)域。以下是該 MOSFET 在不同應(yīng)用領(lǐng)域中的典型應(yīng)用:
1. **開關(guān)電源(SMPS)**
- STP7NB60FP-VB 在開關(guān)電源中常用于高壓直流到交流(DC-AC)轉(zhuǎn)換的環(huán)節(jié),特別適用于高功率需求的應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻(R_DS(ON) = 1100mΩ)有助于減少電源的能量損耗,從而提高整體轉(zhuǎn)換效率。廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、服務(wù)器電源以及高效充電器等。
2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**
- 在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,STP7NB60FP-VB 被廣泛應(yīng)用于變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)和電動(dòng)工具等設(shè)備中。該 MOSFET 能夠承受較高電壓(650V),同時(shí)提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,非常適合于高電流、高頻率的電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)。它能夠有效降低驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的功率損耗并提升系統(tǒng)效率。
3. **逆變器(Inverter)**
- 在太陽能逆變器、風(fēng)力發(fā)電逆變器等可再生能源領(lǐng)域,STP7NB60FP-VB 可以用于高效的電力轉(zhuǎn)換。其高漏源電壓能力(650V)使其適用于逆變器的高壓 DC/AC 轉(zhuǎn)換,并有效減少逆變器中的開關(guān)損耗,提升能源轉(zhuǎn)換效率。
4. **高壓電源系統(tǒng)**
- STP7NB60FP-VB 特別適用于工業(yè)高壓電源系統(tǒng),在這類系統(tǒng)中,該 MOSFET 能夠承受高達(dá) 650V 的電壓,并在電流控制和電力轉(zhuǎn)換過程中提供穩(wěn)定可靠的開關(guān)性能。此類應(yīng)用常見于電力分配系統(tǒng)、可編程電源模塊和工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)。
5. **電動(dòng)汽車(EV)電源管理**
- 在電動(dòng)汽車的電源管理系統(tǒng)中,STP7NB60FP-VB 通過提供高效的功率轉(zhuǎn)換,幫助管理高電壓電池和驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)。其低導(dǎo)通電阻和高電壓耐受能力使其成為電動(dòng)汽車電池管理系統(tǒng)(BMS)和電動(dòng)汽車電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的理想選擇。
6. **UPS(不間斷電源)**
- STP7NB60FP-VB 在不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中也有廣泛應(yīng)用,尤其是在高功率負(fù)載和高電壓需求的環(huán)境下。其優(yōu)異的電流處理能力和開關(guān)效率使其能夠有效提高 UPS 系統(tǒng)的工作效率,并降低能量損耗,保證電力系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
### **總結(jié)**
STP7NB60FP-VB 是一款高壓、高效的 N-Channel MOSFET,具有 650V 的最大漏源電壓和 7A 的最大漏電流,適用于需要高電壓和高效能的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻(R_DS(ON) = 1100mΩ)使其在高電流負(fù)載下能夠有效減少能量損耗,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、逆變器、電動(dòng)汽車電源管理以及 UPS 系統(tǒng)中。STP7NB60FP-VB 的 Plannar 技術(shù)、良好的熱管理能力和穩(wěn)定的開關(guān)特性使其成為各類高功率電源系統(tǒng)中的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛