--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
- ID 7A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
SVF7N60F-VB是一款高電壓、N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,設(shè)計(jì)用于承受較高電壓和中等電流的應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)為650V,最大柵源電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V。該MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1100mΩ(@VGS=10V),漏極電流(ID)最大為7A,適合中等功率和高電壓環(huán)境下的開關(guān)控制。SVF7N60F-VB采用Plannar技術(shù),具有較高的電壓耐受性和相對(duì)較低的導(dǎo)通電阻,適用于多種工業(yè)和家電應(yīng)用中的電源管理、電源轉(zhuǎn)換、開關(guān)電源、變頻器等模塊。
**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
- **型號(hào)**:SVF7N60F-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)我籒溝道
- **漏源電壓(VDS)**:650V
- **柵源電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**:7A
- **技術(shù)類型**:Plannar技術(shù)
- **工作溫度范圍**:-55°C至150°C
- **最大功耗**:基于導(dǎo)通電阻和工作電流,適用于中等功率、高電壓應(yīng)用
- **開關(guān)特性**:適用于高電壓、大功率應(yīng)用中的開關(guān)控制和能量轉(zhuǎn)換
- **適用場(chǎng)景**:廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、變頻器、電力保護(hù)電路、家電等領(lǐng)域
**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:**
1. **工業(yè)電源與開關(guān)電源(SMPS)**:
SVF7N60F-VB適用于工業(yè)電源和開關(guān)電源(SMPS),特別是在需要高電壓耐受能力和相對(duì)較高電流的應(yīng)用場(chǎng)合。其650V的耐壓能力和1100mΩ的導(dǎo)通電阻使其在高電壓下的開關(guān)控制和電能轉(zhuǎn)換中具有良好的表現(xiàn)。它廣泛應(yīng)用于交流到直流(AC-DC)電源轉(zhuǎn)換器、電源適配器、以及直流到直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器中。
2. **變頻器與電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
在變頻器和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,SVF7N60F-VB可以作為開關(guān)元件控制電動(dòng)機(jī)的啟動(dòng)、運(yùn)行和停止。其650V的耐壓和7A的電流承載能力適合驅(qū)動(dòng)中等功率的工業(yè)電動(dòng)機(jī),特別是在高壓變頻器和電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)中提供高效的電流切換與控制。
3. **家電電源管理**:
SVF7N60F-VB也廣泛應(yīng)用于家電電源管理中,特別是在需要高電壓且承載中等電流的家電設(shè)備中。例如,空調(diào)、電熱水器、洗衣機(jī)等家電中的電源控制模塊,SVF7N60F-VB能夠有效控制電源的開關(guān)和電流流動(dòng),確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行和安全。
4. **電力保護(hù)與過(guò)載保護(hù)模塊**:
在電力保護(hù)系統(tǒng)中,SVF7N60F-VB可以作為過(guò)載保護(hù)模塊中的開關(guān)組件。其高電壓耐受能力使其能夠承受瞬間高電壓,并在發(fā)生過(guò)載時(shí)快速切斷電流,保護(hù)設(shè)備免受損壞。廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)中的電流保護(hù)電路、過(guò)電壓保護(hù)電路以及短路保護(hù)電路。
5. **太陽(yáng)能光伏逆變器**:
在太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)中,SVF7N60F-VB適用于光伏逆變器和電池管理系統(tǒng)。其650V的漏源電壓使其適合用于將光伏電池板產(chǎn)生的直流電(DC)轉(zhuǎn)換為交流電(AC),并穩(wěn)定輸出電力。特別是在中型光伏發(fā)電系統(tǒng)和家用太陽(yáng)能逆變器中,SVF7N60F-VB可提供高效的能量轉(zhuǎn)換和長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
6. **電動(dòng)汽車(EV)充電樁**:
SVF7N60F-VB同樣適用于電動(dòng)汽車(EV)充電樁中的高電壓電源模塊。它可以處理高電壓的交流電和直流電的轉(zhuǎn)換,并確保充電過(guò)程的穩(wěn)定與安全。由于其較高的電壓耐受能力,它能有效應(yīng)對(duì)充電過(guò)程中可能出現(xiàn)的高電壓情況,提升充電樁的性能和安全性。
**總結(jié):**
SVF7N60F-VB是一款650V耐壓、7A電流承載能力的N溝道MOSFET,采用Plannar技術(shù),適用于高電壓、大功率開關(guān)控制和電能轉(zhuǎn)換。它廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、變頻器、家電電源管理、電力保護(hù)、光伏逆變器、電動(dòng)汽車充電樁等領(lǐng)域。憑借其較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,SVF7N60F-VB能夠確保這些系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行和高效轉(zhuǎn)換,提供了可靠的電源控制解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛