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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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TF5N50FD-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: TF5N50FD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**TF5N50FD-VB TO220F N 溝道 MOSFET** 是一款采用 **Plannar 技術(shù)** 的高壓功率 MOSFET,專為高電壓開關(guān)應(yīng)用設(shè)計,具有最大漏極源極電壓(VDS)為 **650V** 和最大漏極電流(ID)為 **4A** 的能力。該 MOSFET 具有 **3.5V** 的門閾值電壓(Vth)和 **2560mΩ** 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))@VGS = 10V,使其在開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出穩(wěn)定的電氣性能和相對較高的功率損耗。

適用于需要高電壓控制的 **電源管理系統(tǒng)、電動機驅(qū)動系統(tǒng)**、**高壓電源轉(zhuǎn)換器** 和 **汽車電子設(shè)備**。其 TO220F 封裝具有較好的熱性能,適用于需要高電流且對散熱有要求的應(yīng)用。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**:TF5N50FD-VB  
- **封裝**:TO220F  
- **配置**:單個 N 溝道(Single-N-Channel)  
- **最大漏源電壓(VDS)**:650V  
- **最大門源電壓(VGS)**:±30V  
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - **2560mΩ** @ **VGS = 10V**  
- **最大漏極電流(ID)**:4A  
- **技術(shù)**:Plannar  
- **最大功耗**:有限于設(shè)備的封裝和散熱設(shè)計

### 適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:
  **TF5N50FD-VB** 由于其 **650V** 的高電壓耐受能力,非常適用于 **高壓電源轉(zhuǎn)換器** 中的開關(guān)元件。在電力系統(tǒng)、**太陽能逆變器** 和 **不間斷電源(UPS)** 中,MOSFET 常用于 DC-AC 或 AC-DC 的轉(zhuǎn)換電路中,提供高效的電力轉(zhuǎn)換,并能夠處理較大的電壓和電流。

2. **電動機驅(qū)動系統(tǒng)**:
  在 **電動機驅(qū)動系統(tǒng)** 中,尤其是在 **工業(yè)電動機驅(qū)動** 和 **家電電動機控制** 的應(yīng)用中,TF5N50FD-VB 提供必要的開關(guān)性能。它可以作為 **H 橋電路** 中的開關(guān)元件,用于驅(qū)動直流電機和步進電機。這款 MOSFET 的高耐壓能力使其能夠適應(yīng)高功率電機應(yīng)用中的嚴苛工作環(huán)境。

3. **高壓電源和變頻器**:
  **TF5N50FD-VB** 也適用于 **變頻器** 和 **電力電容器開關(guān)** 等高壓開關(guān)設(shè)備。變頻器用于調(diào)節(jié)電機速度和控制電流,而MOSFET可有效處理高頻率切換需求,確保系統(tǒng)在高電壓環(huán)境下的可靠性和效率。

4. **汽車電子**:
  在 **汽車電子** 中,尤其是在 **電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)** 的電池管理系統(tǒng)(BMS)中,**TF5N50FD-VB** 可以作為高壓開關(guān),提供對電池的充放電管理、能量回收以及動力系統(tǒng)控制。MOSFET 的低導(dǎo)通電阻和高電壓承受能力使其成為電池管理、功率轉(zhuǎn)換和電動機驅(qū)動的理想選擇。

5. **電力供應(yīng)設(shè)備**:
  **TF5N50FD-VB** 也適用于 **電力傳輸系統(tǒng)** 和 **電力電子設(shè)備**,如電能質(zhì)量控制器、**電壓調(diào)整器** 和其他高壓直流系統(tǒng)中。它能夠有效承受高電壓和較大的電流,適應(yīng)電力設(shè)備中的電力開關(guān)和穩(wěn)定系統(tǒng)的工作需求。

6. **高壓開關(guān)電路**:
  由于其高 **VDS** 值(650V),TF5N50FD-VB 適合用于 **高壓開關(guān)電路**,例如 **電氣保護開關(guān)、熔斷器替代品** 和 **過壓保護電路**。MOSFET 可有效管理并切斷過高電壓狀態(tài)下的電流流動,保護電路設(shè)備免受損壞。

### 總結(jié)

**TF5N50FD-VB TO220F N 溝道 MOSFET** 是一款高壓、高效能的開關(guān)元件,適用于需要高耐壓和低電流工作條件的場合。它的高 **650V** 漏源電壓和 **4A** 漏極電流使其在 **高壓電源轉(zhuǎn)換器、電動機驅(qū)動系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)** 和 **汽車電子應(yīng)用** 中具有廣泛的應(yīng)用前景。盡管其 **2560mΩ** 的導(dǎo)通電阻較大,但在適當?shù)膽?yīng)用場合中,TF5N50FD-VB 仍能提供卓越的開關(guān)性能和高效的能量轉(zhuǎn)換。

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