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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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TK4A60D-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: TK4A60D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. **產(chǎn)品簡介**  
TK4A60D-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,具有650V的漏極-源極電壓(VDS)和最大7A的漏極電流(ID)。該MOSFET采用Plannar技術(shù),具有較高的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V),適用于中高壓電源管理系統(tǒng)。它的高耐壓和穩(wěn)定的性能使其在高壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。TK4A60D-VB廣泛用于電源轉(zhuǎn)換器、逆變器、功率調(diào)節(jié)模塊以及工業(yè)設(shè)備中,能夠在高電壓環(huán)境下提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。

### 2. **詳細(xì)參數(shù)說明**  
- **封裝**:TO220F  
- **配置**:單N溝道  
- **漏極-源極電壓 (VDS)**:650V  
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ(VGS=10V)  
- **最大漏極電流 (ID)**:7A  
- **技術(shù)**:Plannar技術(shù)

### 3. **應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例**  
TK4A60D-VB主要適用于需要高耐壓的電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,尤其是在中高壓的環(huán)境中。由于其較高的RDS(ON)值,它更適合用于不需要極低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用,如中低功率開關(guān)電源(SMPS)、逆變器、功率調(diào)節(jié)模塊和電動工具等。具體應(yīng)用領(lǐng)域包括:

- **電源轉(zhuǎn)換器**:用于AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器,尤其是在要求較高耐壓的電源設(shè)計中,例如用于電氣設(shè)備、家電或工業(yè)控制系統(tǒng)的電源模塊。
- **逆變器**:應(yīng)用于太陽能逆變器和UPS(不間斷電源)系統(tǒng)中,TK4A60D-VB能夠提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,以確保高效能的電能轉(zhuǎn)換。
- **工業(yè)設(shè)備**:在工業(yè)自動化和電動工具中,TK4A60D-VB常用于電機(jī)驅(qū)動、電力調(diào)節(jié)模塊等,對高電壓環(huán)境具有良好的適應(yīng)性。
- **電動汽車和儲能系統(tǒng)**:由于其650V的高耐壓,TK4A60D-VB可以用于電動汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)和儲能系統(tǒng)中,負(fù)責(zé)電池的充放電控制與功率轉(zhuǎn)換。

總之,TK4A60D-VB非常適合在高壓、高功率的應(yīng)用環(huán)境中使用,能夠保證系統(tǒng)的可靠性和長期穩(wěn)定運(yùn)行。

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