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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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TSF4N60M-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: TSF4N60M-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### TSF4N60M-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

TSF4N60M-VB 是一款具有高耐壓能力的 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應用設(shè)計。該 MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為 650V,適用于需要承受高電壓的電力電子設(shè)備和系統(tǒng)。它具有較高的導通電阻(RDS(ON) = 2560mΩ),適用于電流要求較低的應用,最大漏極電流(ID)為 4A。

這款 MOSFET 采用平面技術(shù)(Plannar),其柵源電壓(VGS)最大值為 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V,能夠在較低的柵電壓下啟動。TSF4N60M-VB 在工業(yè)電源管理、電力轉(zhuǎn)換以及電動工具等應用中具有良好的性能表現(xiàn)。TO220F 封裝提供了卓越的熱管理,使其能夠在較高功率應用中穩(wěn)定工作。

### TSF4N60M-VB MOSFET 詳細參數(shù)說明

- **型號**:TSF4N60M-VB  
- **封裝類型**:TO220F  
- **配置**:單 N 型通道(Single-N-Channel)  
- **最大漏源電壓(VDS)**:650V  
- **最大柵源電壓(VGS)**:±30V  
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V  
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - @ VGS = 10V:2560mΩ  
- **最大漏極電流(ID)**:4A  
- **技術(shù)類型**:平面技術(shù)(Plannar)  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C  
- **封裝尺寸**:TO220F  
- **典型應用**:電源管理、電力轉(zhuǎn)換、電動工具、電源適配器等

### TSF4N60M-VB MOSFET 應用領(lǐng)域與模塊

1. **高壓開關(guān)電源(SMPS)**
  - TSF4N60M-VB 在高壓開關(guān)電源中可用于功率轉(zhuǎn)換和電壓調(diào)節(jié)。盡管它的導通電阻較高,但其 650V 的耐壓特性使其特別適用于需要高電壓保護的開關(guān)電源電路,尤其是在需要承受電網(wǎng)電壓波動的環(huán)境下,能夠保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

2. **工業(yè)電源與電力轉(zhuǎn)換**
  - 在工業(yè)電源和電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,TSF4N60M-VB 能夠高效地將 AC 電壓轉(zhuǎn)換為 DC 電壓或在逆變器中進行功率轉(zhuǎn)換。它常用于高電壓直流電源的整流和開關(guān)控制中,提供穩(wěn)定的電流和電壓支持。

3. **電動工具與家電**
  - TSF4N60M-VB 在電動工具和家電中有著重要應用,特別是在需要高電壓控制和功率調(diào)節(jié)的設(shè)備中。例如,它可用于高功率電動工具、空調(diào)、洗衣機等設(shè)備的電源管理模塊中,提供穩(wěn)定的電流和電壓輸出,確保設(shè)備在復雜環(huán)境下的正常運行。

4. **電力系統(tǒng)與高壓電源**
  - 在電力系統(tǒng)中,TSF4N60M-VB 可以用于電力分配、控制系統(tǒng)和保護電路。由于其高耐壓能力,它能夠在高電壓電網(wǎng)中起到重要的保護作用,避免電力設(shè)備因過壓或電壓突變而受到損害。

5. **逆變器應用**
  - TSF4N60M-VB 在逆變器系統(tǒng)中廣泛應用,尤其是在光伏逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中,作為高效的開關(guān)元件進行直流電轉(zhuǎn)換為交流電。高達 650V 的耐壓能力,使其能夠輕松應對來自光伏板或電池組的高電壓輸入。

6. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**
  - 在電池管理系統(tǒng)中,TSF4N60M-VB 可作為功率開關(guān)元件,應用于高電壓電池的充放電管理。它能夠有效地控制電池組的充電電流和放電電流,保持電池在安全的工作范圍內(nèi),防止過充或過放電現(xiàn)象。

7. **電源適配器與電源模塊**
  - TSF4N60M-VB 在電源適配器中應用廣泛,特別是對于需要耐高壓的 AC-DC 轉(zhuǎn)換模塊。它可用于手機充電器、筆記本電源適配器以及其他電子設(shè)備的電源模塊,提供高效能的電源轉(zhuǎn)換,確保設(shè)備的安全穩(wěn)定運行。

### 總結(jié)

TSF4N60M-VB 是一款高電壓耐受能力的 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封裝,具有 650V 的耐壓和較高的導通電阻(2560mΩ)。它適用于電源管理、電動工具、電力轉(zhuǎn)換、逆變器等多個高電壓領(lǐng)域。平面技術(shù)的應用使其能夠在高電壓和高電流負載下穩(wěn)定工作,提供可靠的性能和長期的使用壽命。對于那些對耐壓要求較高的應用,TSF4N60M-VB 是一款理想的選擇。

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