--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**TSF5N60S-VB** 是一款 **單 N-Channel MOSFET**,采用 **TO220F** 封裝,具有 **650V** 的 **漏源電壓(VDS)**,適用于高電壓電源和開關電源系統(tǒng)。該型號基于 **Plannar 技術**,設計用于大功率應用。其 **VGS(柵源電壓)** 范圍為 **±30V**,確保在廣泛的工作電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。該 MOSFET 的 **門閾電壓(Vth)** 為 **3.5V**,而其 **RDS(ON)** (導通電阻)為 **2560mΩ**(在 **VGS=10V** 時),適用于對功率損失和電流控制有較高要求的應用。
**TSF5N60S-VB** 的 **最大漏極電流(ID)** 為 **4A**,它能夠支持高電壓、高電流的開關,適合應用在需要精確控制電流的系統(tǒng)中,如電源轉(zhuǎn)換器、電機控制器和一些工業(yè)驅(qū)動系統(tǒng)。這款 MOSFET 在電源管理、工業(yè)設備、汽車電子等領域有著廣泛的應用。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:Single-N-Channel(單 N-Channel)
- **VDS(漏源電壓)**:650V
- **VGS(柵源電壓)**:±30V
- **Vth(門閾電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)(導通電阻)**:
- @VGS = 10V:2560mΩ
- **ID(最大漏極電流)**:4A
- **最大功率耗散**:80W(取決于散熱條件)
- **技術**:Plannar 技術
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C
- **漏極-源極電壓(VDS)**:650V,適用于高電壓環(huán)境
- **最大結溫**:150°C,適合高溫工作環(huán)境
- **開啟電流(Gate Drive Current)**:較低的柵電流,降低驅(qū)動功率損失
### 應用領域與模塊
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:
**TSF5N60S-VB** 適用于 **AC-DC** 和 **DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器**,特別是在需要處理高電壓的應用中,具有 **650V 的 VDS**,能夠承受較大的電壓沖擊。常見的應用場景包括 **電力供應** 和 **通信基站電源**,在這些場合中,TSF5N60S-VB 可確保高效的電壓轉(zhuǎn)換和電源管理。
2. **開關電源(SMPS)**:
在 **開關電源(SMPS)** 系統(tǒng)中,TSF5N60S-VB 可用于電流開關和電壓調(diào)節(jié),尤其在 **工業(yè)電源** 和 **照明控制系統(tǒng)** 中。其 **RDS(ON)** 為 **2560mΩ**,雖然較高,但適用于低功率或中等功率的電源系統(tǒng),保證了開關過程中的電流損耗最小化。
3. **電動工具與電氣設備**:
TSF5N60S-VB 能夠承受 **高電壓** 和 **中等電流**,因此適用于 **電動工具的電源管理模塊**。它也適合用于 **電機驅(qū)動** 系統(tǒng)中,特別是在 **低功率電機控制** 中,支持電機的高效切換。
4. **汽車電子**:
在 **汽車電子系統(tǒng)** 中,TSF5N60S-VB 可用于 **電源管理、燈光控制、充電系統(tǒng)** 等模塊。它的 **650V** 電壓承受能力使其能夠在汽車電源系統(tǒng)中穩(wěn)定工作,尤其適用于需要高電壓電流開關的 **車載電池管理** 和 **動力系統(tǒng)控制**。
5. **工業(yè)驅(qū)動系統(tǒng)**:
**TSF5N60S-VB** 可以應用于 **工業(yè)驅(qū)動系統(tǒng)**,特別是在要求 **高電壓和中等電流承載能力** 的 **電機控制** 和 **變頻器** 中。其低柵電壓和適中的導通電阻使其在大部分工業(yè)電氣驅(qū)動模塊中表現(xiàn)出色。
6. **UPS(不間斷電源)系統(tǒng)**:
在 **UPS(不間斷電源)** 系統(tǒng)中,**TSF5N60S-VB** 能夠提供高效的 **電力轉(zhuǎn)換與電流調(diào)節(jié)**。這款 MOSFET 在不間斷電源系統(tǒng)中的應用可以提高系統(tǒng)的能效,確保 **電池充放電管理** 和 **電源切換** 的平穩(wěn)運行。
7. **家電控制模塊**:
由于其高電壓承受能力和穩(wěn)定的開關特性,**TSF5N60S-VB** 在 **家電設備** 中也得到了應用,尤其是在 **電器電源管理系統(tǒng)** 中,支持如 **洗衣機、空調(diào)** 等家電設備的 **電源調(diào)節(jié)** 和 **開關控制**。
### 總結
**TSF5N60S-VB** 是一款適用于 **高電壓** 電源轉(zhuǎn)換和開關控制的 **N-Channel MOSFET**,具有 **650V** 的 **VDS** 和 **2560mΩ** 的 **RDS(ON)**,非常適合于需要中等電流和高電壓承載能力的應用。無論是在 **高壓電源系統(tǒng)、開關電源、工業(yè)設備控制**,還是 **汽車電子、UPS 系統(tǒng)** 中,這款 MOSFET 都能為系統(tǒng)提供高效的電源管理和電流開關,保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12