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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR012PBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR012PBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR012PBF-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRFR012PBF-VB 是一款高效能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝。該 MOSFET 設(shè)計(jì)用于處理中等電壓和電流應(yīng)用,具有高達(dá) 60V 的漏源極電壓(VDS)和 ±20V 的柵源極電壓(VGS)。其門(mén)檻電壓(Vth)為 1.7V,導(dǎo)通電阻在 VGS=10V 時(shí)為 73mΩ,在 VGS=4.5V 時(shí)為 85mΩ。IRFR012PBF-VB 使用溝槽(Trench)技術(shù),提供了低導(dǎo)通電阻和良好的開(kāi)關(guān)性能,使其適合用于需要高效率和高開(kāi)關(guān)速度的電源管理和功率控制應(yīng)用。

### 二、IRFR012PBF-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:60V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **門(mén)檻電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:85mΩ @ VGS=4.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:18A
- **技術(shù)類(lèi)型**:溝槽(Trench)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊說(shuō)明
IRFR012PBF-VB 以其高效的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻,適用于多種中等電壓和電流的應(yīng)用。以下是一些主要的應(yīng)用場(chǎng)景:

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,IRFR012PBF-VB 可以作為開(kāi)關(guān)管,處理中等電壓(最高 60V)的電源轉(zhuǎn)換任務(wù)。其低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)效率有助于提高轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)的整體性能。

2. **電源管理**:在電源管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用于高效的電源開(kāi)關(guān)和調(diào)節(jié)。它適合用于各種電源模塊,如計(jì)算機(jī)電源、移動(dòng)設(shè)備充電器和其他電源調(diào)節(jié)器。

3. **電動(dòng)工具和家電**:IRFR012PBF-VB 適用于電動(dòng)工具和家電中的功率開(kāi)關(guān)部分。它能處理中等電流負(fù)載,提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)控制,用于電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)、家電的功率控制等。

4. **功率放大器**:該 MOSFET 可用于功率放大器的開(kāi)關(guān)階段,能夠處理中等電壓的信號(hào)和功率放大應(yīng)用,如音頻放大器和射頻放大器。

5. **負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路**:IRFR012PBF-VB 也適合用于負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路中,例如電池保護(hù)開(kāi)關(guān)和過(guò)流保護(hù)電路。其高效的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻有助于保護(hù)電路免受過(guò)電流和過(guò)壓影響。

這些應(yīng)用示例展示了 IRFR012PBF-VB 在中等電壓和電流場(chǎng)景中的優(yōu)異性能,使其成為高效電源管理和功率控制應(yīng)用的理想選擇。

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