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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR022-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR022-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR022-VB 產(chǎn)品簡介

IRFR022-VB 是一款高性能N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)設計,封裝在TO252外殼中,專為中等電壓和電流應用而開發(fā)。這款MOSFET 具有60V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)。其開啟電壓為1.7V,在VGS為4.5V時的導通電阻(RDS(ON))為85mΩ,在VGS為10V時為73mΩ。最大漏極電流(ID)為18A。IRFR022-VB 提供了優(yōu)良的開關性能和熱穩(wěn)定性,適用于需要高效開關和低導通電阻的應用場景。

### 二、IRFR022-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 85mΩ @ VGS = 4.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 73mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
- **最大功耗 (Ptot)**: 60W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C
- **開關時間**: 適合中高頻率開關應用,具有較低的開關損耗

### 三、應用領域和模塊示例

IRFR022-VB 的特點使其在多種領域和模塊中表現(xiàn)出色,尤其是在要求中等電壓和電流的應用中:

1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:在中等電壓的DC-DC轉(zhuǎn)換器中,IRFR022-VB 能夠提供高效的開關性能和低導通電阻。它適用于高頻率的轉(zhuǎn)換應用,如電源管理模塊和穩(wěn)壓器,幫助提升整體效率并減少功耗。

2. **電機驅(qū)動**:在電機驅(qū)動應用中,IRFR022-VB 的18A電流處理能力使其能夠有效控制電機的啟動和運行。它可用于直流電機和步進電機的驅(qū)動電路中,提供可靠的電流開關和控制。

3. **電源開關**:IRFR022-VB 可用于高效電源開關應用,如開關電源和電池管理系統(tǒng)。其低導通電阻和穩(wěn)定的開關性能使其成為高效電源控制的理想選擇,適合用于電源開關模塊中。

4. **高效照明系統(tǒng)**:在LED照明和其他高效照明系統(tǒng)中,IRFR022-VB 可以用作開關元件。其低導通電阻和優(yōu)良的開關特性確保了照明系統(tǒng)的高效能和長壽命。

IRFR022-VB 的優(yōu)良性能使其在中等電壓和電流應用中表現(xiàn)出色,能夠滿足各種高效開關和控制需求。

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