--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、IRFR024ZTRPBF-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRFR024ZTRPBF-VB是一款采用TO252封裝的單N溝道MOSFET,專為中等電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源電壓(VDS)為60V,柵源電壓(VGS)可承受±20V。該MOSFET的柵閾值電壓(Vth)為1.7V,提供了高效的開關(guān)性能。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS為4.5V時(shí)為85mΩ,在VGS為10V時(shí)為73mΩ,最大電流承載能力為18A。IRFR024ZTRPBF-VB采用了Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的開關(guān)特性,適用于各種功率管理和開關(guān)應(yīng)用。
### 二、IRFR024ZTRPBF-VB詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **擊穿電壓(VDS)**:60V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **柵閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 85mΩ@VGS=4.5V
- 73mΩ@VGS=10V
- **電流(ID)**:18A
- **技術(shù)類型**:Trench技術(shù)
- **功耗**:40W(最大功耗取決于散熱條件)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C
- **最大脈沖漏極電流**:60A
- **輸入電容(Ciss)**:1200pF
- **輸出電容(Coss)**:200pF
- **反向恢復(fù)時(shí)間(trr)**:120ns
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源開關(guān)**
IRFR024ZTRPBF-VB非常適合用作電源開關(guān),特別是在DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源管理模塊中。其低導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力使其能夠在電源開關(guān)中有效地控制電流流動(dòng),提高轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性。
2. **電機(jī)控制**
在電機(jī)控制系統(tǒng)中,例如步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,IRFR024ZTRPBF-VB可以作為開關(guān)元件。其高電流處理能力和低RDS(ON)值幫助減少功率損耗,提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的整體性能和可靠性。
3. **功率管理電路**
該MOSFET也適用于各種功率管理電路,如電源保護(hù)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其良好的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效地管理功率傳輸和保護(hù)電路,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。
4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**
在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如便攜式設(shè)備和家用電器,IRFR024ZTRPBF-VB的TO252封裝和高電流能力使其適合用于小型化的電流開關(guān)和控制應(yīng)用。它能夠在空間受限的環(huán)境中提供可靠的電流控制,確保設(shè)備的正常運(yùn)行。
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