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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR024ZTRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR024ZTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR024ZTRPBF-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRFR024ZTRPBF-VB是一款采用TO252封裝的單N溝道MOSFET,專為中等電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源電壓(VDS)為60V,柵源電壓(VGS)可承受±20V。該MOSFET的柵閾值電壓(Vth)為1.7V,提供了高效的開關(guān)性能。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS為4.5V時(shí)為85mΩ,在VGS為10V時(shí)為73mΩ,最大電流承載能力為18A。IRFR024ZTRPBF-VB采用了Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的開關(guān)特性,適用于各種功率管理和開關(guān)應(yīng)用。

### 二、IRFR024ZTRPBF-VB詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道  
- **擊穿電壓(VDS)**:60V  
- **柵源電壓(VGS)**:±20V  
- **柵閾值電壓(Vth)**:1.7V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:  
 - 85mΩ@VGS=4.5V  
 - 73mΩ@VGS=10V  
- **電流(ID)**:18A  
- **技術(shù)類型**:Trench技術(shù)  
- **功耗**:40W(最大功耗取決于散熱條件)  
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 +150°C  
- **最大脈沖漏極電流**:60A  
- **輸入電容(Ciss)**:1200pF  
- **輸出電容(Coss)**:200pF  
- **反向恢復(fù)時(shí)間(trr)**:120ns  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源開關(guān)**  
  IRFR024ZTRPBF-VB非常適合用作電源開關(guān),特別是在DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源管理模塊中。其低導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力使其能夠在電源開關(guān)中有效地控制電流流動(dòng),提高轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性。

2. **電機(jī)控制**  
  在電機(jī)控制系統(tǒng)中,例如步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,IRFR024ZTRPBF-VB可以作為開關(guān)元件。其高電流處理能力和低RDS(ON)值幫助減少功率損耗,提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的整體性能和可靠性。

3. **功率管理電路**  
  該MOSFET也適用于各種功率管理電路,如電源保護(hù)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其良好的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效地管理功率傳輸和保護(hù)電路,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**  
  在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如便攜式設(shè)備和家用電器,IRFR024ZTRPBF-VB的TO252封裝和高電流能力使其適合用于小型化的電流開關(guān)和控制應(yīng)用。它能夠在空間受限的環(huán)境中提供可靠的電流控制,確保設(shè)備的正常運(yùn)行。

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