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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR110TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR110TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR110TRPBF-VB 產(chǎn)品簡介  
IRFR110TRPBF-VB 是一款高性能 N-溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,基于先進的 Trench 技術。該 MOSFET 具有 100V 的最大漏極-源極電壓(VDS)和 15A 的最大漏極電流(ID)。其低導通電阻(RDS(ON))使其在各種中等功率應用中具有高效能和較低的功耗。IRFR110TRPBF-VB 設計用于需要高電壓和中等電流處理能力的場合,提供穩(wěn)定的開關性能和可靠性。

### 二、IRFR110TRPBF-VB 詳細參數(shù)說明  
- **封裝類型**:TO252  
- **極性**:N-溝道  
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:100V  
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**:1.8V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:114mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**:15A  
- **技術**:Trench(溝槽技術)  
- **功耗**:50W  
- **結溫**:最高175°C  
- **柵極電荷 (Qg)**:最大60nC  
- **反向恢復電荷 (Qrr)**:無顯著反向恢復電荷  
- **典型工作頻率**:高于100kHz

### 三、應用領域與模塊  
IRFR110TRPBF-VB 的中等電壓和電流處理能力以及低導通電阻使其在以下幾個領域和模塊中表現(xiàn)優(yōu)異:

1. **電源開關**  
  IRFR110TRPBF-VB 在電源開關應用中提供了穩(wěn)定的開關性能。其低導通電阻確保了在電源轉換過程中低功耗和高效率,適用于各種 DC-DC 轉換器和電源管理系統(tǒng)。

2. **電機驅動**  
  在電機驅動系統(tǒng)中,如小型電機控制器或步進電機驅動器,IRFR110TRPBF-VB 能夠處理較高的電壓和電流,從而確保電機的穩(wěn)定運行。其高效的開關性能減少了電機運行中的能量損耗。

3. **LED 驅動電路**  
  由于其低導通電阻,IRFR110TRPBF-VB 是 LED 驅動電路的理想選擇。在 LED 照明系統(tǒng)中,MOSFET 的高效開關功能可以幫助提高系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

4. **功率管理**  
  在功率管理應用中,例如電池管理系統(tǒng)和電源調(diào)節(jié)模塊,IRFR110TRPBF-VB 提供了高效的開關操作,幫助優(yōu)化功率分配和延長系統(tǒng)壽命。

5. **工業(yè)控制**  
  IRFR110TRPBF-VB 的可靠性和高電壓處理能力使其適合用于各種工業(yè)控制系統(tǒng),包括自動化設備和電源控制單元。其穩(wěn)定的開關性能可以支持復雜的工業(yè)應用。

這些應用示例展示了 IRFR110TRPBF-VB 在中等功率和電壓環(huán)境中的廣泛適用性。其低導通電阻和高電流處理能力使其在電源開關、電機驅動、LED 驅動和功率管理等領域中提供了卓越的性能。

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