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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR120ATM-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR120ATM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRFR120ATM-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,設(shè)計(jì)用于中等電壓和中等電流應(yīng)用。該 MOSFET 支持最高 100V 的漏源電壓(VDS),并能處理高達(dá) 15A 的漏極電流(ID)。IRFR120ATM-VB 使用 Trench 技術(shù),具有相對(duì)低的導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)性能。在 VGS=10V 時(shí),其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 114mΩ,能夠有效降低功率損耗和提升系統(tǒng)效率。其典型的開啟電壓(Vth)為 1.8V,能夠在較低的柵源電壓下可靠開啟。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

1. **器件類型**:N 溝道 MOSFET  
2. **封裝類型**:TO252  
3. **漏源電壓 (VDS)**:100V  
4. **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
5. **開啟電壓 (Vth)**:1.8V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
  - 114mΩ @ VGS=10V  
7. **漏極電流 (ID)**:15A  
8. **技術(shù)類型**:Trench  
9. **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

IRFR120ATM-VB 的特性使其適用于多個(gè)領(lǐng)域和應(yīng)用:

1. **電源管理和開關(guān)電路**:在各種電源管理應(yīng)用中,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源(SMPS),IRFR120ATM-VB 可用于負(fù)載開關(guān)和電源轉(zhuǎn)換。其適中的導(dǎo)通電阻和高電流能力有助于提高系統(tǒng)的整體效率,降低功率損耗,并提升電源轉(zhuǎn)換性能。

2. **工業(yè)自動(dòng)化**:在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)和自動(dòng)化控制模塊,該 MOSFET 可用于高效的電源開關(guān)和控制。它能夠可靠地處理中等電壓和電流負(fù)載,保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效能。

3. **電動(dòng)汽車和充電系統(tǒng)**:在電動(dòng)汽車的充電器和電池管理系統(tǒng)中,IRFR120ATM-VB 可以用于高效的電流開關(guān),支持電池的充電和放電過程。其低導(dǎo)通電阻能夠有效減少充電過程中的功率損耗,提升充電效率。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如筆記本電腦、電視和電動(dòng)工具,IRFR120ATM-VB 可用于電源開關(guān)和電池管理系統(tǒng)。它的高電流處理能力和較低的功耗使其適合于各種設(shè)備的電源控制,提高設(shè)備的性能和壽命。

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