--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、IRFR120A-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRFR120A-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝形式,適用于中等電壓應(yīng)用。該器件的漏源極電壓(VDS)為 100V,柵源極電壓(VGS)為 ±20V,門檻電壓(Vth)為 1.8V,具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),為 114mΩ@VGS=10V。其最大漏極電流(ID)為 15A。IRFR120A-VB 采用了先進(jìn)的溝槽(Trench)技術(shù),確保在高效電源開關(guān)和電流處理場(chǎng)景中的優(yōu)異性能,適合多種電源管理和控制模塊。
### 二、IRFR120A-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:100V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **門檻電壓 (Vth)**:1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:15A
- **技術(shù)類型**:溝槽(Trench)
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊說明
IRFR120A-VB 的設(shè)計(jì)非常適合高效能的電源開關(guān)和中等功率處理應(yīng)用。以下是該產(chǎn)品適用的一些領(lǐng)域和模塊:
1. **電源管理系統(tǒng)**:IRFR120A-VB 常用于電源管理系統(tǒng),如服務(wù)器電源和數(shù)據(jù)中心中的電源調(diào)節(jié)器。它可以有效管理電能分配,優(yōu)化電路中的電流流動(dòng),確保高效能和低損耗。
2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:該 MOSFET 適合用作 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的主開關(guān)元件,處理高達(dá) 100V 的輸入電壓,并且由于其低導(dǎo)通電阻,可以在高電流應(yīng)用中提升轉(zhuǎn)換效率。
3. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:IRFR120A-VB 能夠用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,適合中等功率電機(jī)的驅(qū)動(dòng)需求。其低導(dǎo)通電阻確保電機(jī)的高效運(yùn)行,并減少能量損失。
4. **工業(yè)自動(dòng)化**:在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,該器件可以用于各種驅(qū)動(dòng)和控制電路,確保高效和可靠的電力傳輸,如電機(jī)控制器和工業(yè)傳感器模塊。
5. **家用電器**:IRFR120A-VB 可以集成到洗衣機(jī)、冰箱等家電的控制電路中,作為負(fù)載開關(guān)或電源管理單元的一部分。其高效開關(guān)特性能夠降低能耗并提高設(shè)備的穩(wěn)定性。
6. **電池管理系統(tǒng)**:該 MOSFET 也適用于電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)電路,如電動(dòng)汽車和可再生能源儲(chǔ)能系統(tǒng)。它有助于有效管理電池組的充放電過程,確保電池的安全和可靠運(yùn)行。
總之,IRFR120A-VB 由于其高效的電流處理能力和低導(dǎo)通損耗,非常適合在電源管理、轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)應(yīng)用中使用,尤其在需要高效開關(guān)和中等功率控制的場(chǎng)景下表現(xiàn)突出。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛