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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR120TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR120TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

IRFR120TRPBF-VB 是一款高效的 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,適用于中等電壓的開關應用。其漏源電壓(VDS)為 100V,柵源電壓(VGS)最大為 ±20V,開啟閾值電壓(Vth)為 1.8V。這款 MOSFET 的導通電阻(RDS(ON))為 114mΩ@VGS=10V,最大漏極電流(ID)可達 15A,采用先進的 Trench 技術設計,使其具有低導通電阻和優(yōu)良的開關性能,特別適用于高效電源管理和中等電流負載開關應用。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝**: TO252
- **極性**: 單一 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **功耗 (Ptot)**: 40W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **技術**: Trench

### 應用領域與模塊示例

1. **DC-DC 轉換器**: IRFR120TRPBF-VB 的低導通電阻和較高的漏源電壓特性,使其在高效 DC-DC 轉換器中有廣泛的應用。它能夠在高效能狀態(tài)下進行電源轉換,特別適用于工業(yè)電源、通信設備的電壓調節(jié)模塊,提升系統(tǒng)整體效率。

2. **電機控制**: 在小型電機控制應用中,尤其是中等電壓和電流的電機驅動,如無刷直流電機和步進電機驅動,IRFR120TRPBF-VB 能夠提供精確的電流控制,幫助減少開關損耗,從而提高電機系統(tǒng)的效率和可靠性。

3. **負載開關**: 該 MOSFET 適用于中等功率負載開關,例如開關電源和工業(yè)自動化系統(tǒng)。IRFR120TRPBF-VB 的低導通電阻可以減少在負載切換時的功率損耗,確保更長的使用壽命和更高的系統(tǒng)穩(wěn)定性。

4. **電池管理系統(tǒng)**: 在電池管理和保護系統(tǒng)中,如便攜式設備的電池保護模塊,IRFR120TRPBF-VB 可用于控制電池的充放電。它的開關速度快、導通電阻低,能夠提高充電效率并防止過充或過放電,提升電池的安全性和性能。

IRFR120TRPBF-VB 適合多種中等功率應用,特別是在 DC-DC 轉換器、電機驅動、負載開關和電池管理系統(tǒng)中,提供高效的開關解決方案和低功耗操作。

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