--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
- ID 30A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**IRFR13N20D-VB** 是一款高壓N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專(zhuān)為高功率、高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件的最大漏極源極電壓(VDS)為200V,漏極電流(ID)為30A,具有優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻。其技術(shù)基礎(chǔ)是Trench技術(shù),確保了高效的電能傳輸和低導(dǎo)通損耗。這使得IRFR13N20D-VB在高功率轉(zhuǎn)換、開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: IRFR13N20D-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 200V
- **柵極源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 55mΩ(VGS = 10V)
- **漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**:
- IRFR13N20D-VB的高漏極源極電壓(200V)和低導(dǎo)通電阻(55mΩ)使其在開(kāi)關(guān)電源模塊中表現(xiàn)優(yōu)異。它能有效地處理高電壓和高電流的開(kāi)關(guān)操作,提升電源轉(zhuǎn)換效率,并減少能量損耗。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
- 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,IRFR13N20D-VB能夠承受高電壓和大電流,非常適合用于電機(jī)的開(kāi)關(guān)控制。它能夠提供穩(wěn)定的電流輸出,確保電機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)行,并提高系統(tǒng)的整體可靠性。
3. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
- 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,IRFR13N20D-VB的高壓承受能力和低導(dǎo)通電阻幫助提高轉(zhuǎn)換效率。它適用于高功率的轉(zhuǎn)換應(yīng)用,能夠處理大電流并保持低熱量產(chǎn)生,從而提升轉(zhuǎn)換器的性能和穩(wěn)定性。
4. **電池管理系統(tǒng)**:
- 電池管理系統(tǒng)需要高效的開(kāi)關(guān)元件來(lái)控制電池的充放電過(guò)程。IRFR13N20D-VB的低導(dǎo)通電阻和高電壓承受能力使其非常適合用于電池管理系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)控制,確保系統(tǒng)的可靠性和安全性。
這些應(yīng)用示例展示了IRFR13N20D-VB在高功率、高電壓環(huán)境中的優(yōu)勢(shì),確保了其在各種電子系統(tǒng)中的廣泛適用性。
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