產(chǎn)品簡介
IRFR1N60ATRPBF-VB 是一款單N溝道MOSFET，封裝為TO252，專為高電壓應(yīng)用設(shè)計。其漏源電壓（VDS）高達650V，柵源電壓（VGS）范圍為±30V，適用于高電壓環(huán)境。該MOSFET 的開啟電壓（Vth）為3.5V，采用Plannar技術(shù)。在VGS=10V時，其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為4300mΩ，在VGS=4.5V時為3440mΩ。雖然其導(dǎo)通電阻較高，但其高電壓承受能力使其適用于特定的高電壓應(yīng)用。
詳細參數(shù)說明
封裝類型：TO252
配置：單N溝道
漏源電壓（VDS）：650V
柵源電壓（VGS）：±30V
開啟電壓（Vth）：3.5V
導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：
3440mΩ @ VGS=4.5V
4300mΩ @ VGS=10V
最大漏極電流（ID）：2A
技術(shù)：Plannar
功耗：30W
最大工作溫度：175°C
應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
高壓電源開關(guān)：IRFR1N60ATRPBF-VB 非常適合用于高壓電源開關(guān)應(yīng)用，如高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。其650V的漏源電壓能力能夠承受高電壓環(huán)境中的電源開關(guān)操作，即使導(dǎo)通電阻較高，但在高電壓應(yīng)用中仍能提供可靠的性能。
電力電子設(shè)備：在需要高電壓絕緣和控制的電力電子設(shè)備中，如逆變器和變頻器，該MOSFET 的高VDS和高VGS容忍度使其能夠處理高電壓和高電流應(yīng)用中的開關(guān)需求，保證系統(tǒng)穩(wěn)定運行。
高壓保護電路：IRFR1N60ATRPBF-VB 也可以用于高壓保護電路中，例如過電壓保護和過流保護。其高電壓承受能力使其能夠有效地防護電路免受高壓或過電流的損害。
工業(yè)高壓控制：在工業(yè)控制系統(tǒng)中，例如高壓電機控制和電力傳輸系統(tǒng)，IRFR1N60ATRPBF-VB 提供了可靠的高電壓開關(guān)功能，確保在高電壓操作環(huán)境中的穩(wěn)定性和安全性。
這些應(yīng)用顯示了IRFR1N60ATRPBF-VB 在高電壓應(yīng)用中的重要性和多功能性，特別是在需要高電壓絕緣和高耐壓能力的場景中表現(xiàn)出色。
