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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR210ATF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR210ATF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 850mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

IRFR210ATF-VB 是一款高耐壓 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO252,專為高電壓開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。它的漏源電壓(VDS)最高可達(dá) 200V,柵源電壓(VGS)最大為 ±20V,開啟閾值電壓(Vth)為 3V。該 MOSFET 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 850mΩ@VGS=10V,最大漏極電流(ID)為 5A。IRFR210ATF-VB 采用 Trench 技術(shù),具有較高的電壓耐受能力和可靠的開關(guān)性能,適用于各種需要高電壓和中等電流的應(yīng)用場景。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: TO252
- **極性**: 單一 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 200V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 850mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 5A
- **功耗 (Ptot)**: 40W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高壓電源管理**: IRFR210ATF-VB 的高漏源電壓和穩(wěn)定的開關(guān)特性使其適用于高壓電源管理系統(tǒng)。它可以用于高電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,幫助轉(zhuǎn)換高電壓輸入到低電壓輸出,同時(shí)維持高效能和可靠性。

2. **開關(guān)電源**: 在需要高電壓和中等電流的開關(guān)電源應(yīng)用中,如適配器和工業(yè)電源,IRFR210ATF-VB 的特性使其能夠在高電壓條件下穩(wěn)定運(yùn)行,提供高效的電源切換和管理。

3. **功率轉(zhuǎn)換模塊**: 該 MOSFET 可用于功率轉(zhuǎn)換模塊中,如逆變器和高壓功率模塊。其較高的耐壓能力使其能夠處理較大的電壓波動(dòng),確保模塊在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **電機(jī)控制**: 在需要高電壓驅(qū)動(dòng)的電機(jī)控制應(yīng)用中,IRFR210ATF-VB 能夠提供穩(wěn)定的開關(guān)性能和可靠性,例如在電動(dòng)工具或高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中使用。

IRFR210ATF-VB 適合用于高壓電源管理、開關(guān)電源、功率轉(zhuǎn)換模塊和電機(jī)控制等領(lǐng)域,能夠提供高耐壓和高效能的開關(guān)解決方案,滿足各種高電壓應(yīng)用的需求。

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