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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR210B-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR210B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 850mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、IRFR210B-VB 產品簡介

IRFR210B-VB 是一款高電壓N溝道MOSFET,采用了Trench技術,并封裝在TO252外殼中。該器件具有200V的漏源電壓(VDS),±20V的柵源電壓(VGS)范圍,以及3V的開啟電壓(Vth)。在柵源電壓為10V時,其導通電阻(RDS(ON))為850mΩ,最大漏極電流(ID)為5A。這款MOSFET 的設計主要針對中高電壓應用,能夠提供穩(wěn)定的開關性能和較高的電流處理能力,適合用于各種電源管理和開關控制場景。

### 二、IRFR210B-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 850mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 5A
- **最大功耗 (Ptot)**: 65W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C
- **開關時間**: 適合中等頻率應用
- **技術**: Trench技術
- **輸入電容 (Ciss)**: 2600pF
- **輸出電容 (Coss)**: 950pF

### 三、應用領域和模塊示例

IRFR210B-VB 的特性使其適用于以下領域和模塊:

1. **電源開關**:在電源開關應用中,IRFR210B-VB 能夠承受200V的高電壓和處理高達5A的電流。其較高的導通電阻適用于電流不太高的場合,能夠提供穩(wěn)定的開關功能。該MOSFET 適合用于電源管理系統(tǒng)中的低到中功率開關應用。

2. **負載開關**:這款MOSFET 可以在負載開關應用中有效工作,控制較小功率負載的開關。其3V的開啟電壓保證了在低電壓信號下也能有效驅動開關,適合用于家電和小型工業(yè)設備中。

3. **中低功率逆變器**:適用于中低功率的逆變器系統(tǒng)中,如太陽能逆變器。IRFR210B-VB 的200V耐壓和5A電流能力可以滿足逆變器的需求,特別是在對功率要求不是特別高的應用中。

4. **電動工具**:在一些電動工具的驅動電路中,該MOSFET 可以作為開關元件,用于控制電流的開關。其較高的電壓和電流規(guī)格使其適用于中小功率的電動工具控制。

5. **低功率照明控制**:IRFR210B-VB 適用于低功率照明控制系統(tǒng)中的開關應用。其較高的導通電阻使其適合處理相對較小的功率,能夠有效管理和控制照明設備的開關狀態(tài)。

IRFR210B-VB 的中高電壓和電流處理能力、適中的導通電阻以及良好的開關性能,使其在電源管理、負載開關、逆變器、電動工具和照明控制等領域具有廣泛應用。

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