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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR214TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR214TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 640mΩ@VGS=10V
  • ID 4.5A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**IRFR214TRPBF-VB** 是一款N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計。該MOSFET的最大漏極源極電壓(VDS)為250V,漏極電流(ID)為4.5A,使用Trench技術(shù)來優(yōu)化開關(guān)性能和降低導(dǎo)通電阻。其設(shè)計特點使其在需要處理較高電壓和中等電流的電子系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,特別適合高功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: IRFR214TRPBF-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 250V
- **柵極源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 640mΩ(VGS = 10V)
- **漏極電流 (ID)**: 4.5A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **高壓開關(guān)電源**:
  - IRFR214TRPBF-VB非常適合用作高壓開關(guān)電源中的開關(guān)元件。其250V的高漏極源極電壓能力使其能夠處理較高電壓的開關(guān)操作,而640mΩ的導(dǎo)通電阻雖然較高,但足以滿足中等電流應(yīng)用的需求。適用于要求高電壓耐受的電源管理系統(tǒng)。

2. **電池保護(hù)電路**:
  - 在電池保護(hù)電路中,IRFR214TRPBF-VB可以用于保護(hù)電池免受過電壓和過電流的影響。其高電壓能力使其適用于高電壓電池系統(tǒng),而中等導(dǎo)通電阻確保了電路的穩(wěn)定性和可靠性。

3. **電機(jī)驅(qū)動**:
  - 該MOSFET適合用于中等功率電機(jī)驅(qū)動模塊。盡管漏極電流為4.5A相對較小,但其高電壓處理能力和Trench技術(shù)使其能夠有效地控制電機(jī)驅(qū)動電路中的高電壓,提供穩(wěn)定的開關(guān)操作。

4. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:
  - 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,IRFR214TRPBF-VB可以用于高電壓開關(guān)應(yīng)用,例如電源控制和負(fù)載切換。其高電壓耐受性和可靠的開關(guān)性能使其成為工業(yè)自動化系統(tǒng)中的理想選擇。

這些應(yīng)用示例展示了IRFR214TRPBF-VB在處理高電壓和中等電流的情況下的多樣化應(yīng)用,特別適合于高壓開關(guān)電源、電池保護(hù)、電機(jī)驅(qū)動以及工業(yè)控制等領(lǐng)域。

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