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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR220NCTRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR220NCTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR220NCTRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:
IRFR220NCTRPBF-VB 是一款高電壓、單N溝道MOSFET,封裝為TO252,采用Trench技術(shù)設(shè)計(jì)。該MOSFET能夠承受高達(dá)200V的漏源極電壓(VDS),并在VGS=10V時(shí)具有245mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))。最大漏極電流(ID)為10A,閾值電壓(Vth)為3V。這使得IRFR220NCTRPBF-VB 在高電壓和中等電流的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,提供可靠的開關(guān)性能和高效能。

### IRFR220NCTRPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **型號(hào)**: IRFR220NCTRPBF-VB
- **封裝形式**: TO252
- **MOSFET配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 245mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**: 通常在 -55°C 至 +150°C 之間

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:
1. **高電壓開關(guān)電源**: IRFR220NCTRPBF-VB 的200V漏源極電壓耐受能力使其非常適合用于高電壓開關(guān)電源。在這些應(yīng)用中,它能夠有效地管理高電壓負(fù)載,提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,從而提高電源的整體效率和可靠性。

2. **電源管理系統(tǒng)**: 在電源管理系統(tǒng)中,如電池管理系統(tǒng)和電源模塊,該MOSFET的高電壓和適中的導(dǎo)通電阻使其能夠有效控制電源開關(guān)操作,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**: IRFR220NCTRPBF-VB 可以用于需要中等電流和高電壓的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。它的高電壓耐受能力和穩(wěn)定的開關(guān)性能能夠滿足電機(jī)控制系統(tǒng)對(duì)高電壓開關(guān)的要求。

4. **LED驅(qū)動(dòng)器**: 在需要處理高電壓的LED驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該MOSFET能夠提供可靠的開關(guān)性能,控制LED負(fù)載的電流和亮度。其高電壓承受能力確保了在LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的穩(wěn)定性和長壽命。

IRFR220NCTRPBF-VB 的高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻使其適用于高電壓開關(guān)電源、電源管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及LED驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域,提供高效能和穩(wěn)定的開關(guān)性能。

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