--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### IRFR220NCTRPBF-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:
IRFR220NCTRPBF-VB 是一款高電壓、單N溝道MOSFET,封裝為TO252,采用Trench技術(shù)設(shè)計(jì)。該MOSFET能夠承受高達(dá)200V的漏源極電壓(VDS),并在VGS=10V時(shí)具有245mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))。最大漏極電流(ID)為10A,閾值電壓(Vth)為3V。這使得IRFR220NCTRPBF-VB 在高電壓和中等電流的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,提供可靠的開關(guān)性能和高效能。
### IRFR220NCTRPBF-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **型號(hào)**: IRFR220NCTRPBF-VB
- **封裝形式**: TO252
- **MOSFET配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 200V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 245mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**: 通常在 -55°C 至 +150°C 之間
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:
1. **高電壓開關(guān)電源**: IRFR220NCTRPBF-VB 的200V漏源極電壓耐受能力使其非常適合用于高電壓開關(guān)電源。在這些應(yīng)用中,它能夠有效地管理高電壓負(fù)載,提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,從而提高電源的整體效率和可靠性。
2. **電源管理系統(tǒng)**: 在電源管理系統(tǒng)中,如電池管理系統(tǒng)和電源模塊,該MOSFET的高電壓和適中的導(dǎo)通電阻使其能夠有效控制電源開關(guān)操作,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)器**: IRFR220NCTRPBF-VB 可以用于需要中等電流和高電壓的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。它的高電壓耐受能力和穩(wěn)定的開關(guān)性能能夠滿足電機(jī)控制系統(tǒng)對(duì)高電壓開關(guān)的要求。
4. **LED驅(qū)動(dòng)器**: 在需要處理高電壓的LED驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該MOSFET能夠提供可靠的開關(guān)性能,控制LED負(fù)載的電流和亮度。其高電壓承受能力確保了在LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的穩(wěn)定性和長壽命。
IRFR220NCTRPBF-VB 的高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻使其適用于高電壓開關(guān)電源、電源管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及LED驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域,提供高效能和穩(wěn)定的開關(guān)性能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛