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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR224PBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR224PBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 640mΩ@VGS=10V
  • ID 4.5A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**IRFR224PBF-VB** 是一款高電壓N溝道MOSFET,采用TO252封裝。其設(shè)計(jì)針對高電壓應(yīng)用,最大漏極源極電壓(VDS)為250V,漏極電流(ID)為4.5A。該MOSFET采用Trench技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)良的開關(guān)性能。IRFR224PBF-VB的特點(diǎn)使其特別適合用于高電壓和中等電流的電子應(yīng)用,能夠提供穩(wěn)定的開關(guān)控制和高效的能量傳輸。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: IRFR224PBF-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 250V
- **柵極源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 640mΩ(VGS = 10V)
- **漏極電流 (ID)**: 4.5A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **高壓開關(guān)電源**:
  - IRFR224PBF-VB 適合用作高壓開關(guān)電源中的開關(guān)元件。其250V的高漏極源極電壓能力和640mΩ的導(dǎo)通電阻,使其能夠處理高電壓和中等電流的開關(guān)需求。盡管導(dǎo)通電阻較高,但在高壓開關(guān)電源中仍能提供可靠的性能。

2. **電池管理系統(tǒng)**:
  - 在電池管理系統(tǒng)中,IRFR224PBF-VB可以用于高電壓電池的保護(hù)和開關(guān)控制。其高電壓能力確保了對高電壓電池的有效保護(hù),而其導(dǎo)通電阻雖然較高,但仍能在電池保護(hù)電路中提供穩(wěn)定的性能。

3. **電機(jī)驅(qū)動**:
  - 該MOSFET適用于電機(jī)驅(qū)動模塊中的高電壓應(yīng)用。雖然其漏極電流為4.5A,適用于中等功率電機(jī),但其高電壓處理能力使其能夠有效地控制電機(jī)驅(qū)動電路,特別是在要求較高電壓的環(huán)境下。

4. **工業(yè)開關(guān)控制**:
  - 在工業(yè)開關(guān)控制應(yīng)用中,IRFR224PBF-VB可以用于高電壓開關(guān)操作,例如負(fù)載切換和電源控制。其高電壓耐受能力和Trench技術(shù)確保了在工業(yè)環(huán)境中的穩(wěn)定運(yùn)行和可靠性。

這些應(yīng)用示例展示了IRFR224PBF-VB在高電壓和中等電流應(yīng)用中的靈活性和可靠性,適合于高壓開關(guān)電源、電池管理、電機(jī)驅(qū)動和工業(yè)控制等多個領(lǐng)域。

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