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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR224TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR224TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 640mΩ@VGS=10V
  • ID 4.5A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRFR224TRPBF-VB 是一款高耐壓 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO252,專(zhuān)為中高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 的漏源電壓(VDS)高達(dá) 250V,漏極電流(ID)為 4.5A。采用 Trench 技術(shù),提供了良好的性能穩(wěn)定性和低導(dǎo)通電阻。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 640mΩ@VGS=10V,適合在高電壓和中電流條件下使用。開(kāi)啟電壓(Vth)為 3V,確保在中等柵源電壓下也能有效開(kāi)啟,適用于多種高壓應(yīng)用場(chǎng)合。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

1. **器件類(lèi)型**:N 溝道 MOSFET  
2. **封裝類(lèi)型**:TO252  
3. **漏源電壓 (VDS)**:250V  
4. **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
5. **開(kāi)啟電壓 (Vth)**:3V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
  - 640mΩ @ VGS=10V  
7. **漏極電流 (ID)**:4.5A  
8. **技術(shù)類(lèi)型**:Trench  
9. **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

IRFR224TRPBF-VB 的高耐壓和適中的導(dǎo)通電阻使其在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中表現(xiàn)出色:

1. **電源管理**:在電源管理系統(tǒng)中,如高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源(SMPS),IRFR224TRPBF-VB 可以用于高電壓開(kāi)關(guān)和控制。其高耐壓特性確保在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,而適中的導(dǎo)通電阻有助于提高系統(tǒng)的整體效率。

2. **工業(yè)控制**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用于高電壓開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。其耐壓能力使其適合在工業(yè)設(shè)備中處理高電壓負(fù)載,提供可靠的開(kāi)關(guān)和保護(hù)功能,確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **汽車(chē)電子**:在汽車(chē)電子系統(tǒng)中,例如電池管理系統(tǒng)和高壓電源模塊,IRFR224TRPBF-VB 可用作高電壓開(kāi)關(guān)元件。它在這些高電壓環(huán)境中提供可靠的開(kāi)關(guān)性能和較低的功耗,有助于提升系統(tǒng)的效率和安全性。

4. **功率轉(zhuǎn)換**:在高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,如功率逆變器和變頻器,IRFR224TRPBF-VB 能夠處理高電壓和中等電流,提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能。其適中的導(dǎo)通電阻使其能夠高效地處理功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的電流。

這些應(yīng)用中,IRFR224TRPBF-VB 的高耐壓和穩(wěn)定性能使其成為處理高電壓和電流條件下的理想選擇,確保在各種高要求環(huán)境中的可靠性和效率。

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