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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR2307ZTR-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR2307ZTR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 18mΩ@VGS=10V
  • ID 45A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介**  
IRFR2307ZTR-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高效開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。它的漏源電壓(VDS)為100V,柵源電壓(VGS)范圍為±20V,適用于多種中高電壓的電子系統(tǒng)。該MOSFET 的開啟電壓(Vth)為1.8V,采用Trench技術(shù)制造,具有優(yōu)良的開關(guān)性能。在VGS=10V時(shí),其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為18mΩ,能夠處理高達(dá)45A的漏極電流(ID)。IRFR2307ZTR-VB 以其較低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,為中高功率開關(guān)應(yīng)用提供了可靠的解決方案。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明**  
- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道  
- **漏源電壓(VDS)**:100V  
- **柵源電壓(VGS)**:±20V  
- **開啟電壓(Vth)**:1.8V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:18mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流(ID)**:45A  
- **技術(shù)**:Trench  
- **功耗**:62W  
- **最大工作溫度**:175°C

**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊**  
1. **高效電源開關(guān)**:IRFR2307ZTR-VB 在DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠有效地控制電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中的電流和電壓,從而提高整體系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,例如無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)控制器,IRFR2307ZTR-VB 能夠穩(wěn)定地處理高電流和高電壓條件。其高電流承載能力和低RDS(ON)能夠減少功率損耗,提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)的效率和可靠性。

3. **汽車電子**:IRFR2307ZTR-VB 在汽車電子系統(tǒng)中,如電動(dòng)窗戶控制、電池管理系統(tǒng)和電機(jī)控制模塊中非常適用。其高電壓和電流處理能力能夠支持汽車中的各種功率控制應(yīng)用,保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和長(zhǎng)壽命。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:該MOSFET 也適用于一些高功率消費(fèi)電子產(chǎn)品,如高效能的電源適配器和電池充電器。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力有助于提高這些設(shè)備的能源轉(zhuǎn)換效率和整體性能。

IRFR2307ZTR-VB 的這些應(yīng)用示例表明了其在中高功率開關(guān)應(yīng)用中的重要性,特別是在要求高效能和高穩(wěn)定性的領(lǐng)域中。

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