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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR234BTM-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR234BTM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 176mΩ@VGS=10V
  • ID 17A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR234BTM-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRFR234BTM-VB 是一款高電壓N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)并封裝在TO252外殼中。它設(shè)計(jì)用于需要高達(dá)250V漏源電壓的應(yīng)用,具備3.5V的開啟電壓(Vth)。在10V的柵源電壓下,IRFR234BTM-VB 提供了176mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),其最大漏極電流為17A。這款MOSFET在高電壓和中等電流的應(yīng)用場(chǎng)合中表現(xiàn)優(yōu)異,非常適合用于電源開關(guān)和功率管理系統(tǒng)。

### 二、IRFR234BTM-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 250V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 176mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 17A
- **最大功耗 (Ptot)**: 75W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C
- **開關(guān)時(shí)間**: 適合中等頻率應(yīng)用
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
- **輸入電容 (Ciss)**: 2200pF
- **輸出電容 (Coss)**: 850pF

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

IRFR234BTM-VB 的特性使其在多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的適用性:

1. **高電壓電源開關(guān)**:
  IRFR234BTM-VB 適合用于高電壓電源開關(guān)的應(yīng)用。其250V的漏源電壓和17A的漏極電流使其在電源模塊和高電壓電源轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色,例如在電力分配系統(tǒng)中作為開關(guān)控制元件,確保高效穩(wěn)定的電流管理。

2. **功率管理和調(diào)節(jié)**:
  在功率管理系統(tǒng)中,IRFR234BTM-VB 可用于電源調(diào)節(jié)模塊。它可以有效控制電源的開關(guān)狀態(tài)和電流流量,適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源適配器等設(shè)備,提升系統(tǒng)的電源效率和穩(wěn)定性。

3. **電動(dòng)工具和家用電器**:
  IRFR234BTM-VB 也適用于中等功率的電動(dòng)工具和家用電器。它能夠在這些設(shè)備中作為電源開關(guān),實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的電流控制。例如,電動(dòng)工具中的開關(guān)控制和家電中的電源管理都能利用這款MOSFET來提升操作性能。

4. **逆變器和電源模塊**:
  在逆變器和電源模塊中,IRFR234BTM-VB 可以作為開關(guān)元件,處理高電壓電源轉(zhuǎn)換。其250V的漏源電壓和17A的漏極電流適合應(yīng)用于逆變器系統(tǒng),確保穩(wěn)定和高效的電力轉(zhuǎn)換過程。

5. **照明控制**:
  IRFR234BTM-VB 也可以用于高電壓照明控制系統(tǒng)。在這種應(yīng)用中,它能有效地管理高功率照明設(shè)備的電源開關(guān),提供穩(wěn)定的控制性能,適合用作大功率燈具的開關(guān)控制器。

IRFR234BTM-VB 的250V漏源電壓、17A漏極電流和176mΩ導(dǎo)通電阻使其成為電源開關(guān)、功率管理、逆變器、電動(dòng)工具以及照明控制等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域的理想選擇。

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