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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR3103TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR3103TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRFR3103TRPBF-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO252。其設(shè)計(jì)旨在提供卓越的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻。該 MOSFET 具有 30V 的漏源電壓(VDS)和高達(dá) 80A 的漏極電流(ID),使其適用于高電流密度應(yīng)用。通過(guò) Trench 技術(shù)制造,它在低柵源電壓下仍能保持較低的導(dǎo)通電阻,確保高效的功率傳輸和開(kāi)關(guān)性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

1. **器件類(lèi)型**:N 溝道 MOSFET  
2. **封裝類(lèi)型**:TO252  
3. **漏源電壓 (VDS)**:30V  
4. **柵源電壓 (VGS)**:±20V  
5. **開(kāi)啟電壓 (Vth)**:1.7V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
  - 6mΩ @ VGS=4.5V  
  - 5mΩ @ VGS=10V  
7. **漏極電流 (ID)**:80A  
8. **技術(shù)類(lèi)型**:Trench  
9. **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

IRFR3103TRPBF-VB 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中表現(xiàn)優(yōu)異:

1. **高效電源管理**:在高效電源管理系統(tǒng)中,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和開(kāi)關(guān)電源(SMPS),IRFR3103TRPBF-VB 能夠以低導(dǎo)通電阻進(jìn)行高電流開(kāi)關(guān),減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。其高電流處理能力確保了在負(fù)載變化時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性。

2. **電動(dòng)汽車(chē)(EV)**:在電動(dòng)汽車(chē)的電力電子系統(tǒng)中,IRFR3103TRPBF-VB 適合用作電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的開(kāi)關(guān)元件。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻有助于優(yōu)化電動(dòng)汽車(chē)的能效和性能,支持更高的功率密度和更長(zhǎng)的續(xù)航能力。

3. **工業(yè)應(yīng)用**:在工業(yè)控制和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,如電機(jī)控制、伺服驅(qū)動(dòng)和高功率負(fù)載,IRFR3103TRPBF-VB 提供了高電流密度和低功耗的開(kāi)關(guān)功能。其優(yōu)異的性能確保了在嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境中保持高效和可靠的操作。

4. **功率放大器**:在功率放大器和高功率 RF 應(yīng)用中,IRFR3103TRPBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其能夠有效處理高功率信號(hào),并提高整體系統(tǒng)的效率和性能。

這些應(yīng)用中,IRFR3103TRPBF-VB 的卓越性能確保了在各種高負(fù)載和高效率需求的場(chǎng)景中的可靠性和高效能。

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