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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR310P-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR310P-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2200mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR310P-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:

IRFR310P-VB 是一款高耐壓的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,基于Plannar技術(shù)制造。它具有650V的漏源極電壓(VDS),適合用于高電壓應(yīng)用。該MOSFET的閾值電壓(Vth)為3.5V,在VGS=10V時,其導通電阻(RDS(ON))為2200mΩ,而在VGS=4.5V時為2750mΩ。它的最大漏極電流(ID)為4A。IRFR310P-VB 在高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色,提供穩(wěn)定的性能和可靠性。

### IRFR310P-VB 詳細參數(shù)說明:

- **型號**: IRFR310P-VB
- **封裝形式**: TO252
- **MOSFET配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2750mΩ@VGS=4.5V
 - 2200mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar技術(shù)
- **工作溫度范圍**: 通常在 -55°C 至 +150°C 之間

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **高壓電源**: IRFR310P-VB 由于其650V的高漏源極電壓,非常適合用于高壓電源系統(tǒng)。在這些應(yīng)用中,它能夠有效處理高電壓和電流,確保電源的穩(wěn)定性和可靠性。

2. **逆變器**: 在逆變器應(yīng)用中,IRFR310P-VB 可以用于高電壓直流到交流的轉(zhuǎn)換。它的高耐壓和穩(wěn)定性能對于逆變器中的電流開關(guān)至關(guān)重要,能夠提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

3. **電動工具**: 在電動工具中,這款MOSFET能夠處理高電壓和電流負載,確保工具在運行中的穩(wěn)定性。其高耐壓能力使其適合用于各種電動工具的電源管理和控制模塊中。

4. **電力轉(zhuǎn)換器**: IRFR310P-VB 適用于電力轉(zhuǎn)換器,如AC-DC轉(zhuǎn)換器或DC-DC轉(zhuǎn)換器。它的高電壓承受能力和穩(wěn)定的導通性能使其成為這些高電壓電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。

IRFR310P-VB 的高電壓耐受能力和穩(wěn)定的性能使其在高壓電源、逆變器、電動工具以及電力轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。這些特性使其在處理高電壓和高電流的場合中表現(xiàn)優(yōu)異。

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